杭州晶馳機(jī)電有限公司與您相約江蘇！2025第三代半導(dǎo)體SiC晶體生長(zhǎng)及晶圓加工技術(shù)研討會(huì)
隨著科學(xué)技術(shù)的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體材料的革新速度也進(jìn)一步加快。當(dāng)前，碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，在新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能等新興領(lǐng)域正快速滲透，已成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的前沿和制高點(diǎn)。同時(shí)，我國(guó)“十四五”規(guī)劃已將碳化硅半導(dǎo)體納入重點(diǎn)支持領(lǐng)域，碳化硅半導(dǎo)體將在我國(guó)5G基站建設(shè)、特高壓、城際高速鐵路和城市軌道交通、新能源汽車充電樁、大數(shù)據(jù)中心等新基建領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。
近年來(lái)，我國(guó)在SiC材料領(lǐng)域取得了顯著進(jìn)展，但與國(guó)際先進(jìn)水平相比，在晶體生長(zhǎng)技術(shù)、晶圓加工技術(shù)等方面仍存在一定差距。SiC晶體生長(zhǎng)過(guò)程中面臨著晶體缺陷控制、生長(zhǎng)速率提升、晶體質(zhì)量穩(wěn)定性等難題；晶圓加工方面，則存在加工精度不足、良品率低、加工成本較高等挑戰(zhàn)。在當(dāng)前倡導(dǎo)節(jié)能減排的大趨勢(shì)下，快速穩(wěn)定地突破碳化硅單晶尺寸和質(zhì)量等關(guān)鍵問(wèn)題，才能夠更好地占據(jù)未來(lái)碳化硅市場(chǎng)。
在此背景下，中國(guó)粉體網(wǎng)將于2025年8月21日在江蘇·蘇州舉辦第三代半導(dǎo)體SiC晶體生長(zhǎng)及晶圓加工技術(shù)研討會(huì)，大會(huì)將匯聚國(guó)內(nèi)行業(yè)專家、學(xué)者、技術(shù)人員、企業(yè)界代表圍繞晶體生長(zhǎng)工藝、關(guān)鍵原材料、生長(zhǎng)設(shè)備及應(yīng)用、碳化硅晶片切、磨、拋技術(shù)等方面展開演講交流。杭州晶馳機(jī)電有限公司作為參展單位邀請(qǐng)您共同出席。
杭州晶馳機(jī)電有限公司成立于2021年7月，公司總部與研發(fā)中心位于杭州市蕭山區(qū)浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心，辦公面積約1000 ㎡。
公司致力于精密焊接技術(shù)的研究，金屬管件和真空腔體的開發(fā)與生產(chǎn)。主要為國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體設(shè)備——PVD、CVD、PECVD、MOCVD、刻蝕機(jī)、離子注入機(jī)等提供專用高端精密零部件，是國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體設(shè)備廠的重要供應(yīng)商。同時(shí)產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于大科學(xué)裝置、太陽(yáng)能光伏、LED、制藥設(shè)備和特種真空設(shè)備等一系列高端產(chǎn)業(yè)。產(chǎn)品技術(shù)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，處于同行業(yè)發(fā)展前列。
目前公司產(chǎn)品包括6英寸水平進(jìn)氣和8英寸垂直進(jìn)氣碳化硅外延設(shè)備（LPCVD法），金剛石晶體生長(zhǎng)設(shè)備（MPCVD法），氮化鋁晶體生長(zhǎng)設(shè)備，碳化硅源粉合成爐，碳化硅晶體生長(zhǎng)設(shè)備（PVT法），氧化鎵單晶生長(zhǎng)爐（導(dǎo)模法、CZ法），各種晶體和晶片熱處理爐。
公司擁有一支由國(guó)內(nèi)知名專家教授領(lǐng)銜的技術(shù)研發(fā)及顧問(wèn)團(tuán)隊(duì)，具有國(guó)內(nèi)一流的自主研發(fā)創(chuàng)新能力，技術(shù)研發(fā)水平處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先地位。公司牢固樹立人力資源為第一資源的理念，秉承“尊重人才價(jià)值、塑造人才品質(zhì)、致力人才成長(zhǎng)”的宗旨，以人為本、同心同向，實(shí)現(xiàn)公司與員工的共同發(fā)展。
產(chǎn)品介紹
1、小圓柱式微波等離子體沉積（CVD）系統(tǒng)
該設(shè)備為微波等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)（MWCVD）。采用2.45GHz頻率微波源，電場(chǎng)激發(fā)諧振腔模式為TM013模式，激發(fā)穩(wěn)定的等離子體。該系統(tǒng)可以穩(wěn)定生長(zhǎng)金剛石單晶材料、多晶晶圓。通過(guò)工藝調(diào)節(jié),可以穩(wěn)定生長(zhǎng)出 2 英寸金剛石晶圓。
主要應(yīng)用領(lǐng)域：半導(dǎo)體襯底、熱沉片、珠寶、刀具、機(jī)械密封、新一代移動(dòng)通信、智能電網(wǎng)、消費(fèi)類電子等。
2、單腔立式外延爐
相較現(xiàn)有立式外延爐有更低的硬件成本,更小的占地面積;
兼容4/6/8寸晶圓外延生長(zhǎng),成膜質(zhì)量好,可實(shí)現(xiàn)厚外延層快速生長(zhǎng)；
更長(zhǎng)的維護(hù)周期,更低的耗材成本；
會(huì)務(wù)組
聯(lián)系人：段經(jīng)理
電話：13810445572
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