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屠海令 教授級高級工程師研究方向:長期從事硅、化合物半導體晶體生長,稀土半導體、硅基半導體材料制備;半導體材料中雜質與缺陷行為,界面、表面物理化學;半導體材料與器件性能關系,納米半導體材料、高k材料和紅外光學材料等方面研究。研究課題包括半導體單晶生長中的傳質、傳熱過程,硅外延生長動力學,半導體材料中的缺陷與雜質,半導體材料表面物理化學,三元系化合物半導體晶格動力學,稀土半導體材料結構相變,鍺硅半導體材料的制備技術,納米半導體材料制備及性能評價,高k柵介質材料缺陷及界面穩定性研究,紅外光學材料制備及性能研究,半導體材料檢測技術等。
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