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碳化硅晶體原料專用高純4N碳化硅
型號：MG-C009
CAS：409-21-2
產品特性：
1.高純度（4N,99.99%）、粒徑均勻（0.1-1mm，可定制）
2.具有高的禁帶寬度，高的臨界擊穿電場和熱導率，小的介電常數和較高的電子飽和遷移率，以及抗輻射能力強，機械性能好等特性，成為制作高頻、大功率、低能耗、耐高溫和抗輻射器件的電子半導體和光電子器件的理想材料。
主要技術指標：
外觀 | 灰黑色顆粒 |
平均粒徑D50（mm） | 0.5 |
純度（%） | ≥99.99 |
晶型(相） | α相 |
Ca (ppm) | 0.05 |
Al (ppm) | 7.1 |
Fe (ppm) | 4.5 |
Mg (ppm) | 2 |
Na (ppm) | 5 |
應用領域：用作碳化硅晶體、碳化硅晶片、碳化硅半導體等的原料。
技術支持：公司提供4N碳化硅在碳化硅晶體、碳化硅晶片、碳化硅半導體等應用技術支持。
包裝儲存：應密封保存于干燥、陰涼的環境中，不宜長久暴露于空氣中。
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