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儀器簡介：

• 2”~12” 手動 / 半自動 / 全自動(片盒對片盒)
• 領域 : 半導體前后段 / MEMS / 三五族(GaAs / SiC / CPV) / LED / SOI / TSV
• 制程 : PECVD / HDPCVD / RIE / ICP / DSE

特點:

• Plasma-Therm公司有將近40年研發及制造干法刻蝕/PECVD設備的歷史
• Plasma-Therm設備具有高穩定性與高可靠度
• Plasma-Therm自有的軟硬件設計及完善QC系統
• Plasma-Therm設備配置靈活，包含手動、半自動、全自動(片盒對片盒)型號滿足實驗室研發及量產客戶需求
• Plasma-Therm設備在行業內高占有率：目前世界范圍內裝機數量超過1600臺
• Plasma-Therm PECVD設備：具有**的uniformity(3%)和溫度控制技術
• Plasma-Therm RIE / ICP設備：具有高刻蝕速率，低損傷， **的溫度均勻性控制(獨有的整個反應腔陶瓷加熱技術)，方便的腔體清潔技術以及精準靈敏的刻蝕斷點監測技術
• Plasma-Therm DES設備：應用于MEMS及TSV領域，主要用于高深寬比刻蝕， morphing技術確保側壁的profile的精確控制，快速氣體切換技術（**）確保刻蝕的側壁平滑，獨有的壓力控制技術（**），高靈敏的刻蝕斷點監測技術
• Plasma-Therm連續15年被VLSI評為10 Best設備供應商

• 半導體：
• 三五族(GaAs / SiC / CPV)
• MEMS / SOI
• LED
• 半導體后段及TSV