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3D納米結(jié)構(gòu)高速直寫(xiě)機(jī)
— —納米光刻與微米光刻兼顧的聯(lián)合圖形化工藝方案
NanoFrazor光刻技術(shù)，衍生于IBM Research研發(fā)的熱掃描探針光刻技術(shù)——快速、精準(zhǔn)地控制納米針尖的移動(dòng)及溫度，利用熱針尖實(shí)現(xiàn)對(duì)熱敏抗刻蝕劑的快速精準(zhǔn)刻寫(xiě)，從而為納米制造提供了許多新穎的、獨(dú)特的可能性。
NanoFrazor Explore以極高的速度、精度和可靠性運(yùn)行，在目前所有掃描探針光刻技術(shù)中屬于速度快、應(yīng)用廣泛的一種。
NanoFrazor Explore配備了先進(jìn)的硬件和軟件，以合適的方式控制可加熱的NanoFrazor懸臂梁，以便進(jìn)行書(shū)寫(xiě)和成像，實(shí)現(xiàn)基于閉環(huán)光刻技術(shù)的各種高精度圖案化工藝。2019年，Explore增配了激光直寫(xiě)模塊，有效加快了特征線寬在微米或亞微米水平的圖形的加工速度，成為納米光刻與微米光刻兼顧的聯(lián)合圖形化工藝方案。由此，在針對(duì)同一抗刻蝕層的圖案化工藝中，實(shí)現(xiàn)了納米刻寫(xiě)與微米刻寫(xiě)的無(wú)縫銜接。從而可以根據(jù)不同的圖案特征線寬，采用不同精度的刻寫(xiě)技術(shù)，兼顧精度與速度。
主要特點(diǎn)：
★ 利用加熱針尖直接刻寫(xiě)圖案，分辨率優(yōu)于15 nm；
★ 利用激光熱揮發(fā)實(shí)現(xiàn)圖案化，分辨率優(yōu)于1 μm；
★ 高速原位AFM輪廓成像；
★ 樣品尺寸100×100 mm2；
★ 閉環(huán)光刻；
★ 灰度曝光，分辨率及精度達(dá)到2 nm；
★ 利用原位AFM實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)的對(duì)準(zhǔn)，從而實(shí)現(xiàn)無(wú)掩膜套刻及寫(xiě)場(chǎng)拼接；
★ **的隔音及隔振性能；
★ 無(wú)需潔凈間，亦無(wú)特殊的實(shí)驗(yàn)室環(huán)境要求
閉環(huán)光刻
NanoFrazor光刻系統(tǒng)是基于熱掃描探針光刻技術(shù)，其核心部件是一種可加熱的、非常尖銳的針尖，利用此針尖可以直接進(jìn)行復(fù)雜納米結(jié)構(gòu)的刻寫(xiě)并且同時(shí)探測(cè)刻寫(xiě)所得結(jié)構(gòu)的形貌。加熱的針尖通過(guò)熱作用，直接揮發(fā)局部的抗刻蝕劑，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)各類高分辨納米結(jié)構(gòu)的制備。此外，NanoFrazor的光刻技術(shù)能夠與各類標(biāo)準(zhǔn)的圖形轉(zhuǎn)移方案（如lift-off、刻蝕）兼容，從而實(shí)現(xiàn)各類材料的圖形化制備。
**“閉環(huán)光刻”技術(shù)確保圖形化工藝的高精確度
納米光刻與微米光刻兼顧的圖形化工藝方案
自2019年開(kāi)始，NanoFrazor Explore增配了激光直寫(xiě)模塊，由此在保障納米級(jí)分辨率圖案刻寫(xiě)精度的同時(shí)，大大提升了NanoFrazor Explore對(duì)微米級(jí)分辨率圖形的刻寫(xiě)速度。
激光刻寫(xiě)
基于激光的熱作用，以亞微米精度，快速、直接地?fù)]發(fā)抗刻蝕劑，從而實(shí)現(xiàn)大面積的圖案化工藝（例如微納結(jié)構(gòu)的引線或焊點(diǎn)圖形制備）。
熱探針直寫(xiě)
對(duì)于納米結(jié)構(gòu)或納米器件關(guān)鍵部分的高精度、高分辨率刻寫(xiě)。
刻寫(xiě)所得結(jié)構(gòu)的測(cè)量、觀測(cè)、對(duì)準(zhǔn)
由于抗刻蝕劑直接揮發(fā)，無(wú)須濕法顯影操作即可實(shí)現(xiàn)抗刻蝕劑的圖案化。在圖案化過(guò)程中，同一根探針能夠原位、高速的對(duì)圖案化抗刻蝕劑進(jìn)行AFM成像和測(cè)試。
微米尺度及納米尺度的哈佛大學(xué)校徽，對(duì)PPA刻蝕劑的刻蝕深度為30 nm，圖像由NanoFrazor Explore的探針進(jìn)行AFM成像獲得。(Courtesy of Harvard CNS)
3D灰度納米光刻
★ 可在針尖掃描的每個(gè)位置對(duì)圖案化工藝的深度進(jìn)行設(shè)定（即每個(gè)像素點(diǎn)的灰度值）
★ 閉環(huán)光刻技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)很高的灰度刻寫(xiě)精度（經(jīng)論證，對(duì)大于16個(gè)灰階的結(jié)構(gòu)進(jìn)行圖案化工藝，灰度刻寫(xiě)的誤差小于1納米）
用于TEM的電子光學(xué)系統(tǒng)的三維相盤(pán)，由PPA中的微結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移至SiN薄膜獲得 (Courtesy of EPFL and KIT) | 刻寫(xiě)在PPA中的多級(jí)全息圖的局部（圖片由Explore的探針在刻寫(xiě)同時(shí)進(jìn)行AFM成像獲得）；小圖展示的是轉(zhuǎn)移至Si中的全息圖局部的SEM圖像 （Courtesy of Sun Yat-Sen University） |
無(wú)掩膜套刻與拼接
★ 通過(guò)原位AFM功能實(shí)現(xiàn)高精度的無(wú)掩膜套刻及拼接（經(jīng)論證，精度優(yōu)于10 nm）；
★ 埋在抗刻蝕劑PPA下的圖案結(jié)構(gòu)（如納米片、納米線等）可用作“天然的”對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記寫(xiě)場(chǎng)的自動(dòng)關(guān)聯(lián)拼接；
由金的lift-off工藝獲得的）反射全息圖包含1×108個(gè)像素點(diǎn)，每個(gè)寫(xiě)場(chǎng)為邊長(zhǎng)50 μm的正方形，寫(xiě)場(chǎng)間的拼接由AFM相關(guān)技術(shù)實(shí)現(xiàn)
利用無(wú)掩膜光刻在單根納米線上制備金屬電極：（a）由Explore的AFM成像功能探測(cè)到的納米線輪廓及位置信息（綠線標(biāo)出）與擬制備的電極結(jié)構(gòu)布局圖（粉色區(qū)域）；（b）lift-off工藝后獲得的帶有金屬電極的單根納米線的SEM圖像
高分辨率
★ 尖銳的針尖，為了高分辨率的實(shí)現(xiàn)（經(jīng)論證，在PPA抗刻蝕劑中能夠?qū)崿F(xiàn)的半節(jié)距優(yōu)于10納米）
★ 無(wú)須針對(duì)臨近效應(yīng)的修正
由PPA抗刻蝕劑轉(zhuǎn)移至硅基襯底的鰭型結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)(Courtesy of IBM Research and imec) |
其他獨(dú)特性能
★ 低損傷：制備過(guò)程中沒(méi)有引入帶電粒子束流，基于敏感材料的微納器件能夠獲得更好器件特性
★ 納米尺度的材料轉(zhuǎn)換：多種材料的直接熱誘導(dǎo)修飾（相變、化學(xué)反應(yīng)……）
應(yīng)用案例
三維光子分子（3D PHOTONIC MOLECULES）
(Courtesy of IBM Research Zurich， publication in 2018)
單電子器件
Courtesy of IBM Research Zurich， publication in 2018
基于二維原子晶體的器件
(Courtesy of Prof. Elisa Riedo， NYU)
基于準(zhǔn)一維納米材料的納米器件
(Courtesy of S. Karg & A. Knoll， IBM Research – Zurich)
基于布朗馬達(dá)的納米器件，可用于納米顆粒分類
(Courtesy of IBM Research， Publications in Science and PRL 2018)
國(guó)內(nèi)外客戶
已發(fā)表的文獻(xiàn)
● Wolf (JVST B 2015) Sub20nm Liftoff and Si Etch and InAs nanowire contacts
● Garcia (Nat Nano 2014) Advanced scanning probe lithography
● Rawlings (IEEE Nano 2014) Nanometer accurate markerless pattern overlay using thermal Scanning Probe Lithography
● Holzner (SPIE EMLC 2013) Thermal Probe Nanolithography
● Cheong (Nanoletters 2013) Thermal Probe Maskless Lithography for 27.5 nm Half-Pitch Si Technology
● Fei Ding (PhysRevB 2013) Vertical microcavities with high Q and strong lateral mode confinement
● Carrol (Langmuir 2013) Fabricating Nanoscale Chemical Gradients with ThermoChemical NanoLithography
● Paul (Nanotechnology 2012) Field stitching in thermal probe lithography by means of surface roughness correlation
● Kim (Advance Mat 2011) Direct Fabrication of Arbitrary-Shaped Ferroelectric Nanostructures on Plastic， Glass， and Silicon Substrates
● Holzner (APL 2011) High density multi-level recording for archival data preservation
● Holzner (Nanoletters 2011) Directed placement of gold nanorods using a removable template
● Paul (Nanotechnology 2011) Rapid turnaround scanning probe nanolithography
● Wang (Adv Funct Mat 2010) Thermochemical Nanolithography of Multifunctional Nanotemplates for Assembling Nano-Objects
● Wei and King (Science 2010)Nanoscale Tunable Reduction of Graphene Oxide for Graphene Electronics
● Pires (Science 2010) Nanoscale 3DPatterning of Molecular Resists by Scanning Probes
● Knoll (Adv Materials 2010) Probe-Based 3-D Nanolithography Using SAD Polymers
● Fenwick (Nat Nano 2009) Thermochemical nanopatterning of organic semiconductors
● Lee (Nanoletters 2009) Maskless Nanoscale Writing of Nanoparticle-Polymer Composites and Nanoparticle Assemblies using Thermal Nanoprobes
● Nelson (APL 2006) Direct deposition of continuous metal nanostructures by thermal dip-pe
暫無(wú)數(shù)據(jù)！
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