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產品簡介：用于制備超導薄膜、半導體薄膜、鐵電薄膜、超硬薄膜等。廣泛應用于大專院校、科研院所進行薄膜材料的科研與小批量制備。與同類設備相比，其不僅應用廣泛，且具有體積小便于操作及清理方便的優點，是一款實驗室制備材料粉末的理想設備。
產品型號 | GSL-450-PLD（Pulsed Laser Deposition） | ||
安裝條件 | 本設備要求在海拔1000m以下，溫度25℃±15℃，濕度55%Rh±10%Rh下使用。 1、水：設備配有自循環冷卻水機，水溫小于25℃，水壓0.25-0.4Mpa，流量高于12 l/min（加注純凈水或者去離子水）； 2、電：AC380V 50Hz，功率大于10KW，波動范圍：小于±6％，必須有良好接地（對地電阻小于2Ω）； 3、氣：設備腔室內需充注氮/氬氣（純度99.99%以上），需自備氮/氬氣氣瓶（自帶?10mm雙卡套接頭）及減壓閥 4、場地面積：設備尺寸2000mm×2000mm，承重1000kg以上 5、通風裝置：需要（外排廢氣管道）； | ||
主要特點 | 1、由于激光光子能量很高，可濺射制備很多困難的鍍層：如高溫超導薄膜，陶瓷氧化物、氮化物薄膜，多層金屬薄膜等； 2、體積小，操作簡便可以非常容易的連續融化多個材料，實現多層膜制備； 3、可以通過控制激光能量和脈沖數，精密的控制膜厚； 4、易獲得期望化學計量比的多組分薄膜，即具有良好的保成分性； 5、沉積速率高，試驗周期短，襯底溫度要求低，制備的薄膜均勻； 6、工藝參數任意調節，對靶材的種類沒有限制； | ||
技術參數 | 1、極限真空度：≤6.67x10-5 Pa (經烘烤除氣后)； 2、系統真空檢漏漏率：≤5.0x10-7 Pa.l/S； 3、系統短時間暴露大氣并充干燥氮氣后，再開始抽氣，20分鐘可達到5x10-3 Pa； | ||
基片參數 | 1、基片尺寸：可放置φ2″基片（帶擋板）； 2、基片加熱**溫度 800℃±1℃，由熱電偶閉環反饋控制，采用抗氧化材料作加熱器； 3、基片可連續回轉，轉速5～60轉/分，電機驅動磁耦合機構控制； 4、基片與靶臺之間距離30～90mm可調； | ||
轉靶參數 | 1、每次可以裝四塊靶材，靶材尺寸：φ1″或φ2″； 2、每塊靶材可實現自轉，轉速5～60轉/分，連續可調； 3、靶通過電機控制換位，靶材屏蔽罩將4塊靶材屏蔽，每次只有一個靶材露出濺射成膜，以避免靶材之間的交叉污染； | ||
真空腔體 | 1、球型真空室尺寸Ф450mm，選用優質不銹鋼材料制造，氬弧焊接，表面進行特殊工藝拋光處理，接口采用金屬墊圈密封或氟橡膠圈密封； 2、真空腔體帶RF150活開門，方便取、放樣品； 3、RF100法蘭2套（1套紫外石英玻璃窗口用于激光器，另1套盲板紅外石英玻璃窗口用于測溫可選配）； 4、RF100光學玻璃窗口1套（用于觀察）； | ||
產品規格 | 整機尺寸：1800mm×1000mm×1600mm； | ||
標準配件 | 1 | 電源控制系統 | 1套 |
2 | 真空獲得機組 | 1套 | |
3 | 真空測量 | 1套 | |
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