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反應離子刻蝕

NRE-4000（M）反應離子刻蝕概述：

NRE-4000是一款獨立式RIE反應離子刻蝕系統，配套有淋浴頭氣體分布裝置以及水冷RF樣品.具有不銹鋼柜子以及13"的上蓋式圓柱形鋁腔，便于晶圓片裝載.腔體有兩個端口:一個帶有2"的視窗，另一個空置用于診斷.該系統可以支持**到12”的晶圓片。腔體為超凈設計，并且根據配套的真空泵可以達到10^-6 Torr 或更小的極限真空。該系統系統可以在20mTorr到8Torr之間的真空下工作。真空泵組包含一個節流閥，一個250l/s的渦輪分子泵，濾網過濾器，以及一個10cfm的機械泵(帶Formblin泵油).RF射頻功率通過600W，13.56MHz的電源和自動調諧器提供。系統將持續監控直流自偏壓，該自偏壓可以高達-500V.這對于各向異性的刻蝕至關重要。

該系統是基于PC控制的全自動系統.系統真空壓力及DC直流偏壓將以圖形格式實時顯示，流量及功率則以數字形式實時顯示.系統提供密碼保護的四級訪問功能:操作員級、工程師級、工藝人員級，以及維護人員級.允許半自動模式(工程師模式)、寫程序模式(工藝模式)， 和全自動執行程序模式(操作模式)運行系統。基于全自動的控制，該系統具有高度的可重復性。

NRE-4000（M）反應離子刻蝕產品特點：

• 鋁質腔體或不銹鋼腔體

• 不銹鋼立柜

• 能夠刻蝕硅的化合物(~400? /min)以及金屬

• 典型的硅刻蝕速率，400 ?/min

• 高達12”的陽極氧化鋁RF樣品臺

• 水冷及加熱的RF樣品臺

• 大自偏壓

• 淋浴頭氣流分布

• 極限真空5x10-7Torr，20分鐘內可以達到10-6Torr級別

• 渦輪分子泵

• *多支持8個MFC

• 無繞曲氣體管路

• 自動下游壓力控制

• 雙刻蝕能力支持：RIE以及PE刻蝕（可選）

• 終點監測

• 氣動升降頂蓋

• 手動上下載片

• 基于LabView軟件的PC計算機全自動控制

• 菜單驅動，4級密碼訪問保護

• 完全的安全聯鎖

• 可選ICP離子源以及低溫冷卻樣品臺，用于深硅刻蝕

NRE-4000（M）反應離子刻蝕 Features：

• Aluminum or Stainless Steel Chamber

• Stainless Steel Cabinet

• Capable of etching Si compounds (~400 ? /min)and metals

• Typical Si etch rate， 400 ?/min

• Up to 12“ Anodized RF Platen

• Water Cooled and Heated RF Platen

• Large Self Bias

• Shower Head gas distribution

• Approximately 10^-6 Torr < 20 minutes， ~ 5 x10^-7 Torr base pressure

• Turbomolecular Pump

• Up to eight MFCs

• No flexing of gas lines

• Down Stream Pressure Control

• Dual Etch capability: RIE and Plasma Etch（Option）

• End Point Detection

• Pneumatically Lifted Top

• Manual loading/unloading

• PC Controlled with LabVIEW

• Recipe Driven， Password Protected

• Fully Safety Interlocked

• Optional ICP source and cryogenic cooling of the platen for deep Si etch