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半導體材料能帶測試，亞帶隙測量系統
該系統采用恒定光電流法分析半導體薄膜和各種光導材料的帶隙結構，是評價非晶硅和各種非晶半導體的理想方法。
規格：
原理:恒流法(CPM)
光源:氙燈或鹵素燈
工作范圍:約4小時，13 - 0.59 ev (300 - 2100 nm)
輻照面積:6 x6mm
輻照強度:2 nw-2mw
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