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晶體生長方法：CZ/MCZ
導電型號：P/N
直徑：50-350mm
摻雜物：硼/磷
電阻率：0.001-100.Ω.cm
少子壽命：>10μs
晶向：<100>、<110>、<111>
熔點：1420℃
密度：2.33g/cm3
位錯密度：無位錯
純度：6N-9N
氧含量（ppma）：≤20
碳含量（ppma）：≤1.0
電阻率晶向不均勻度：<15%
外觀：無劃痕、缺口等不良現象
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