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替代BeO、AlN、鉬銅合金、Cu-diamond等陶瓷或復合材料,與光電、射頻等器件焊接,大幅降低芯片結溫,提升芯片功率密度與穩定性
拋光后表面粗糙度<20nm,與AMB、DPC等工藝兼容
熱導率>1200W/mK
尺寸:2英寸
厚度:0.1mm-1mm
表面粗糙度:Ra<20nm
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