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產品概述
導電型碳化硅襯底是導電型碳化硅晶體經過切割、研磨、拋光、清洗等工序加工形成的單晶薄片。單晶襯底薄片作為第三代半導體的重要原材料，經過同質外延生長、晶圓制造、封裝檢測等環節，可制成碳化硅基功率器件，是第三代半導體產業發展的重要基礎材料。
8英寸導電型襯底是下一代行業主流尺寸產品。8英寸產品質量與6英寸相當，未來公司將根據客戶實際需求，同步擴大8英寸襯底生產規模，并有效降低生產成本，推動8英寸襯底不斷向前發展。
下游產品與應用
碳化硅襯底材料經過同質外延生長、晶圓制造、封裝檢測等環節，制成碳化硅二極管、碳化硅MOSFET等功率器件，適用于高溫、高壓、大電流等工作環境，廣泛應用于新能源汽車、充電樁、光伏風電、儲能、軌道交通、智能電網、工業電源、工業驅動、白色家電等領域。
| 直徑 | 199.5 mm -200.0 mm | |
| 晶型 | 4H | |
| 厚度 | 500 μm±25 μm | |
| 晶片方向 | 向<11-20>偏轉4.0°±0.5° | |
| 微管密度 | ≤ 0.2 cm-2 | |
| 電阻率 | 0.015-0.025 Ω.cm | |
| Notch晶向 | {10-10} ±5.0° | |
| 邊緣去除 | 3 mm | |
| 局部厚度變化/總厚度變化/彎曲度/翹曲度 | ≤5 μm/≤10 μm/±35 μm/70 μm | |
| 表面粗糙度 | 拋光 Ra ≤ 1 nm | |
| CMP Ra ≤ 0.2 nm | ||
| 邊緣裂紋（強光燈觀測） | —— | |
| 六方空洞（強光燈觀測） | 累計面積 ≤ 0.05% | |
| 多型（強光燈觀測） | —— | |
| 目測包裹物（日光燈觀測） | 累計面積≤ 0.05% | |
| 硅面劃痕（強光燈觀測） | —— | |
| 崩邊（強光燈觀測） | 不允許寬度≥ 0.2 mm，深度≥ 0.2 mm | |
| 穿透螺位錯（TSD） | ≤ 300 cm-2 | |
| 硅面污染物（強光燈觀測） | —— | |
| 包裝 | 多片卡塞/單片盒包裝 | |
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