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臺灣開發出單層納米碳管定位成長技術


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    臺灣地區工研院宣布,繼去年制造出P型和N型納米碳管場效晶體管后,電子所和化工所合作,最近又開發成功單層納米碳管定位成長技術,可在4至8英寸硅芯片基板上制作,具備與集成電路整合的潛力。

    據悉,現有納米碳管場效晶體管制作技術大多采用涂布方式,長成的納米碳管為隨機分布,位置無法準確控制。新技術具金屬性或半導體性,可以用于制造高效能金屬連接線和納米碳管晶體管陣列。
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