[核心提示] 美國加州納米技術(shù)研究院(簡稱CNSI)成功使用MoS2(輝鉬，二硫化鉬)制造出了輝鉬基柔性微處理芯片，這個MoS2為基礎(chǔ)的微芯片只有同等矽基芯片的20%大小，功耗極低，輝鉬制成的晶體管在待機(jī)情況下的功耗為矽晶體管的十萬分之一，而且比同等尺寸的石墨烯電路更加廉價！而最大的變化是其電路有很強(qiáng)的柔性，極薄，可以附著在人體皮膚之上。
2011年瑞士聯(lián)邦理工學(xué)院洛桑分校(EPFL)科學(xué)家制造出全球第一個輝鉬礦微晶片(上面有更小且更節(jié)能的電晶體)輝鉬是未來取代矽基芯片強(qiáng)力競爭者！領(lǐng)導(dǎo)研究的安德拉斯．基什教授表示，輝鉬是良好的下一代半導(dǎo)體材料，在制造超小型晶體管、發(fā)光二極管和太陽能電池方面具有很廣闊的前景秀，而這次美國加州納米技術(shù)研究院制成的輝鉬基柔性微處理芯片未來前景將更加廣泛。
同矽和石墨烯相比，輝鉬的優(yōu)勢之一是體積更小，輝鉬單分子層是二維的，而矽是一種三維材料。在一張0.65納米厚的輝鉬薄膜上，電子運(yùn)動和在兩納米厚的矽薄膜上一樣容易，輝鉬礦是可以被加工到只有3 個原子厚的！
輝鉬所具有的機(jī)械特性也使得它受到關(guān)注，有可能成為一種用于彈性電子裝置(例如最近出現(xiàn)在彈性薄層晶片設(shè)計中的那種)中的材料。 可以用在制造可卷曲的電腦或是能夠貼在皮膚上的裝置。甚至可以植入人體。
英國《自然．納米技術(shù)》雜志就指出：單層的輝鉬材料顯示出良好的半導(dǎo)體特性，有些性能超過現(xiàn)在廣泛使用的矽和研究熱門石墨烯，可望成為下一代半導(dǎo)體材料。
2011年瑞士聯(lián)邦理工學(xué)院洛桑分校(EPFL)科學(xué)家制造出全球第一個輝鉬礦微晶片(上面有更小且更節(jié)能的電晶體)輝鉬是未來取代矽基芯片強(qiáng)力競爭者！領(lǐng)導(dǎo)研究的安德拉斯．基什教授表示，輝鉬是良好的下一代半導(dǎo)體材料，在制造超小型晶體管、發(fā)光二極管和太陽能電池方面具有很廣闊的前景秀，而這次美國加州納米技術(shù)研究院制成的輝鉬基柔性微處理芯片未來前景將更加廣泛。
同矽和石墨烯相比，輝鉬的優(yōu)勢之一是體積更小，輝鉬單分子層是二維的，而矽是一種三維材料。在一張0.65納米厚的輝鉬薄膜上，電子運(yùn)動和在兩納米厚的矽薄膜上一樣容易，輝鉬礦是可以被加工到只有3 個原子厚的！
輝鉬所具有的機(jī)械特性也使得它受到關(guān)注，有可能成為一種用于彈性電子裝置(例如最近出現(xiàn)在彈性薄層晶片設(shè)計中的那種)中的材料。 可以用在制造可卷曲的電腦或是能夠貼在皮膚上的裝置。甚至可以植入人體。
英國《自然．納米技術(shù)》雜志就指出：單層的輝鉬材料顯示出良好的半導(dǎo)體特性，有些性能超過現(xiàn)在廣泛使用的矽和研究熱門石墨烯，可望成為下一代半導(dǎo)體材料。
