作為國(guó)債建設(shè)的一項(xiàng)重要成就，在12月2日開幕由國(guó)家計(jì)委、國(guó)家經(jīng)貿(mào)委、財(cái)政部、國(guó)家統(tǒng)計(jì)局和北京市政府主辦的“譜寫現(xiàn)代化建設(shè)的新篇章———1998～2002年國(guó)債建設(shè)成果圖片展”上，北京有色金屬研究總院的硅材料研究成果吸引了眾多參觀者。展覽顯示，以該院為代表的我國(guó)硅材料研發(fā)力量已經(jīng)可與世界同行并駕齊驅(qū)。
此次展覽中，由該院研制成功的我國(guó)第一根直徑18英寸直拉硅單晶的實(shí)物引起眾多參觀者駐足。
半導(dǎo)體硅單晶材料是半導(dǎo)體集成電路和器件的基礎(chǔ)材料，世界上98％的半導(dǎo)體器件由硅片制造。與迅速增長(zhǎng)的半導(dǎo)體集成電路和器件用量相對(duì)應(yīng)，世界硅片需求量從1990年的20億平方英寸增加到1999年的40億平方英寸，年均增長(zhǎng)8％以上。隨著集成電路集成度的提高、芯片面積的增大和器件工藝的要求，硅片也在朝不斷增加直徑方向發(fā)展，集成電路的生產(chǎn)制造迫切要求采用更大直徑的直拉硅單晶拋光片。據(jù)最新的《國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)指南（ITRS）》提供的資料顯示，直徑18英寸硅單晶拋
光片是直徑12英寸硅單晶拋光片之后的下一代產(chǎn)品，是未來22納米線寬64G集成電路的襯底材料，目前國(guó)際上仍處于基礎(chǔ)研究階段。北京有色金屬研究總院成功拉制直徑18英寸直拉硅單晶，標(biāo)志著我國(guó)大直徑硅單晶研究已經(jīng)步入世界領(lǐng)先行列。
北京有色金屬研究總院是我國(guó)半導(dǎo)體材料研究、開發(fā)和生產(chǎn)的主要基地，分別于1992年、1995年和1997年拉制成功國(guó)內(nèi)第一根直徑6英寸、8英寸和12英寸直拉硅單晶；在國(guó)家計(jì)委支持下，于2001年建成我國(guó)第一條直徑8英寸硅拋光片生產(chǎn)線，為我國(guó)微電子領(lǐng)域的持續(xù)技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
此次展覽中，由該院研制成功的我國(guó)第一根直徑18英寸直拉硅單晶的實(shí)物引起眾多參觀者駐足。
半導(dǎo)體硅單晶材料是半導(dǎo)體集成電路和器件的基礎(chǔ)材料，世界上98％的半導(dǎo)體器件由硅片制造。與迅速增長(zhǎng)的半導(dǎo)體集成電路和器件用量相對(duì)應(yīng)，世界硅片需求量從1990年的20億平方英寸增加到1999年的40億平方英寸，年均增長(zhǎng)8％以上。隨著集成電路集成度的提高、芯片面積的增大和器件工藝的要求，硅片也在朝不斷增加直徑方向發(fā)展，集成電路的生產(chǎn)制造迫切要求采用更大直徑的直拉硅單晶拋光片。據(jù)最新的《國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)指南（ITRS）》提供的資料顯示，直徑18英寸硅單晶拋
光片是直徑12英寸硅單晶拋光片之后的下一代產(chǎn)品，是未來22納米線寬64G集成電路的襯底材料，目前國(guó)際上仍處于基礎(chǔ)研究階段。北京有色金屬研究總院成功拉制直徑18英寸直拉硅單晶，標(biāo)志著我國(guó)大直徑硅單晶研究已經(jīng)步入世界領(lǐng)先行列。
北京有色金屬研究總院是我國(guó)半導(dǎo)體材料研究、開發(fā)和生產(chǎn)的主要基地，分別于1992年、1995年和1997年拉制成功國(guó)內(nèi)第一根直徑6英寸、8英寸和12英寸直拉硅單晶；在國(guó)家計(jì)委支持下，于2001年建成我國(guó)第一條直徑8英寸硅拋光片生產(chǎn)線，為我國(guó)微電子領(lǐng)域的持續(xù)技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
