中國粉體網(wǎng)訊 4月26日，由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟主辦，北京華商三優(yōu)新能源科技有限公司、泰科天潤半導體科技（北京）有限公司承辦的“碳化硅新型充電樁示范工程啟動暨技術(shù)與應(yīng)用研討會”在北京格蘭云天國際酒店成功召開。會上，正式啟動了我國首個碳化硅（SiC）新型充電樁示范工程，標志著我國碳化硅新型充電樁邁出了實際應(yīng)用的第一步。
我國首個碳化硅新型充電樁示范工程正式啟動
科技部原副部長、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟指導委員會主任、國際半導體照明聯(lián)盟主席曹健林，中國運載火箭技術(shù)研究院航天材料及工藝研究所副所長、中國工程院院士李仲平，科技部原國際合作司司長、科技部高新技術(shù)中心材料處處長史冬梅，北京市科委新能源與新材料處處長許心超，北京華商三優(yōu)新能源科技有限公司總經(jīng)理劉曉民，泰科天潤半導體科技（北京）有限公司總經(jīng)理陳彤等領(lǐng)導和企業(yè)代表共約100多人出席了本次會議。
第三代半導體是滿足"創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展"國家戰(zhàn)略需求、實現(xiàn)綠色、低碳、智能和可持續(xù)發(fā)展、搶占未來產(chǎn)業(yè)發(fā)展制高點、支撐國民經(jīng)濟可持續(xù)發(fā)展不可或缺的先進電子材料，也是全球戰(zhàn)略競爭新的制高點。
未來3-5年是第三代半導體技術(shù)發(fā)展及應(yīng)用推進的關(guān)鍵時期，為了搶占技術(shù)和產(chǎn)業(yè)制高點，科技部在“十三五”國家重點研發(fā)計劃“戰(zhàn)略性先進電子材料”重點專項中系統(tǒng)地布局了相關(guān)項目，2016年7月在國家科技部高技術(shù)研究發(fā)展中心的指導及聯(lián)盟的支持下，由北京華商三優(yōu)新能源技術(shù)有限公司牽頭的國家重點計劃項目“中低壓SiC材料、器件及其在電動汽車充電設(shè)備中的應(yīng)用示范”正式啟動，這對提升我國核心競爭力與支撐節(jié)能減排戰(zhàn)略具有重要意義。
科技部原副部長、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟指導委員會主任、國際半導體照明聯(lián)盟主席曹健林
曹健林在致辭中表示，中國的科技和中國的經(jīng)濟一樣都在迅速的走向世界的前列。在這個過程中，我們要努力解決兩個問題。第一，要走到世界前列不是一個點的突破，要從材料-器件-系統(tǒng)-應(yīng)用全產(chǎn)業(yè)鏈或者全創(chuàng)新鏈去積極部署突破。對第三代半導體我們從“十二五”，“十三五”一直在努力創(chuàng)造這樣一個環(huán)境，今天也是對我們過去努力的一個檢驗。第二是要真正形成一種適合新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展的體制機制。怎樣真正把事情落在實處，克服諸多問題，有賴于大家共同努力。
科技部高新技術(shù)中心材料處處長史冬梅
史冬梅表示，今天是國家重點研發(fā)計劃“戰(zhàn)略性先進電子材料”重點專項“中低壓SiC材料、器件及其在電動汽車充電設(shè)備中的應(yīng)用示范”項目進展情況匯報會，該項目是2016年戰(zhàn)略性先進電子材料重點專項啟動首批27個項目之一。項目針對我國電動汽車充電設(shè)備對高效率、高穩(wěn)定性SiC電力電子器件的重大需求，從材料、器件和應(yīng)用三個層次開展系統(tǒng)性研究，攻克基礎(chǔ)科學問題，突破關(guān)鍵技術(shù)瓶頸，建成SiC材料、器件和應(yīng)用協(xié)同合作的全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)平臺和產(chǎn)業(yè)化基地，實現(xiàn)全SiC充電設(shè)備的批量示范應(yīng)用，以滿足我國日益增長的電動汽車市場對智能、高效充電裝備的需求，為實現(xiàn)《中國制造2025》的國家戰(zhàn)略貢獻力量。項目的順利實施將使我國率先實現(xiàn)碳化硅材料在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用，占領(lǐng)國際制高點，對于推進智能電網(wǎng)建設(shè)，保障我國能源安全和推進全球能源互聯(lián)網(wǎng)具有重大意義。今天新型碳化硅充電樁示范工程正式啟動，是項目實施過程中的重要里程碑，也標志著項目實施進入了關(guān)鍵階段。
北京市科委新能源與新材料處處長許心超
許心超也表示，北京市科委早在2012年就開始通過科技項目的方式對第三代半導體材料進行了布局，通過創(chuàng)新引領(lǐng)實現(xiàn)了核心技術(shù)突破，初步形成了從碳化硅材料、器件、封裝到應(yīng)用的全產(chǎn)業(yè)鏈條，4英寸碳化硅襯底材料批量生產(chǎn)，成為國內(nèi)兩大生產(chǎn)基地之一，并在國內(nèi)率先實現(xiàn)了碳化硅功率器件的產(chǎn)業(yè)化和示范應(yīng)用。在科委的支持下，泰科天潤半導體科技（北京）有限公司聯(lián)合中國科學院半導體研究所成功研制出了1200VSiCMOSFET功率器件并實現(xiàn)小批量化生產(chǎn)，掌握了SiCMOSFET器件的設(shè)計、關(guān)鍵工藝和制造等全套技術(shù)，成為國際上少數(shù)幾個能提供SiCMOSFET器件的公司之一，為推動第三代半導體材料、器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展，打破國外技術(shù)壟斷奠定了良好基礎(chǔ)。同時在體制機制創(chuàng)新方面，為更好的支撐全國科技創(chuàng)新中心建設(shè)，對接國家重大項目，北京市科委聯(lián)合順義區(qū)政府及聯(lián)盟，共同建設(shè)第三代半導體材料及應(yīng)用聯(lián)合創(chuàng)新基地，快速推進產(chǎn)業(yè)鏈構(gòu)建和產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新生態(tài)環(huán)境培育。下一步北京市科委將進一步配合國家戰(zhàn)略，以每年不低于5000萬的支持落地配套，為第三代半導體做好保駕護航的作用，以尊重市場規(guī)則的方式落地產(chǎn)業(yè)推進市場。
緊接著，在啟動儀式上曹健林副部長、李仲平院士、史冬梅處長、許心超處長及示范項目參與企業(yè)代表北京華商三優(yōu)新能源科技有限公司劉曉民總經(jīng)理、泰科天潤半導體科技（北京）有限公司陳彤總經(jīng)理、許繼電源有限公司、青島特銳德電氣股份有限公司、中興通訊股份有限公司幾位代表上臺共同按亮啟動球，同與會代表們一起見證了我國首個碳化硅新型充電樁示范工程在北京的啟動。
簽屬聯(lián)盟融合創(chuàng)新戰(zhàn)略合作協(xié)議
一個新技術(shù)的發(fā)展與用戶的需求及合作密不可分，為了更好的推進第三代半導體在充電樁及新能源領(lǐng)域的應(yīng)用及跨領(lǐng)域的協(xié)同創(chuàng)新，第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟與電動物流車產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、中國可再生能源學會等聯(lián)盟組織進行了深入的探討并在推進第三代半導體的技術(shù)研發(fā)、標準制定、應(yīng)用推廣等方面達成了戰(zhàn)略合作目標。會上第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲與中國可再生能源學會秘書長李寶山、中關(guān)村普天新能源物流汽車產(chǎn)業(yè)技術(shù)聯(lián)盟常務(wù)副理事長王文濤、中國電工技術(shù)學會副秘書長王志華共同簽屬了聯(lián)盟融合創(chuàng)新戰(zhàn)略合作協(xié)議。
