中國粉體網訊 2022年3月11日，由江蘇宏微科技有限公司、重慶大學聯合牽頭，泰克科技（中國）有限公司、工業和信息化部電子第五研究所、全球能源互聯網研究院有限公司、北京海瑞克科技發展有限公司、廣州電網有限公司電力科學研究院等單位聯合提交的《碳化硅MOSFET開關運行條件下閾值穩定性測試方法》團體標準提案，經CASA標準化委員會（CASAS）管理委員會審核，根據《CASA管理和標準制修訂細則》，上述團體標準提案立項通過，分配編號為：CASA 024。
近 20 多年來，以碳化硅為代表的寬禁帶半導體器件，受到了廣泛的關注。SiC 材料具有 3 倍于硅材料的禁帶寬度，10 倍于硅材料的臨界擊穿電場強度，3 倍于硅材料的熱導率，因此 SiC 功率器件適合于高頻、高壓、高溫等應用場合。
其中SiC MOSFET是最為成熟、應用最廣的SiC功率開關器件，具有高開關速度、低損耗和耐高溫等優點，被認為是替代硅IGBT的最佳選擇。SiC MOSFET 是一種具有絕緣柵結構的單極性器件，關斷過程不存在拖尾電流，降低了開關損耗，進而減小散熱器體積；并且其開關速度快，開關頻率高，有利于減小變換器中電感和電容的體積，提高裝置的功率密度，有效降低裝置的系統成本。
MOSFET 器件結構示意圖
國際上多家企業已經實現 SiCMOSFET 器件的商業化，并已逐步推出溝槽型 SiC MOSFET 器件。而國內的 SiC MOSFET 器件基本采用平面柵 MOSFET 結構，研發進度相對落后，工藝技術的不成熟與器件可靠性是國內 SiC MOSFET器件的主要問題。
《碳化硅MOSFET開關運行條件下閾值穩定性測試方法》規定了碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管（SiC MOSFET）開關運行條件下閾值穩定性測試方法，評價器件在承受規定動態柵極應力的條件下是否符合規定的閾值電壓變化量。該方法是使器件重復承受柵極正偏壓和柵極負偏壓，以加速器件柵氧界面的老化并加速器件閾值電壓的變化，從而衡量碳化硅MOSFET的閾值穩定性。
江蘇宏微科技股份有限公司自設立以來一直從事IGBT、FRED為主的功率半導體芯片、單管、模塊和電源模組的設計、研發、生產和銷售，并為客戶提供功率半導體器件的解決方案。主要產品有IGBT、FRED、MOSFET、整流橋、晶閘管、SiC模塊等。公司曾榮獲“新型電力半導體器件領軍企業”、“蘇南國家自主創新示范區瞪羚企業”、“PSIC2019中國新能源汽車用IGBT最具發展潛力企業稱號”和“中國電氣節能30年杰出貢獻企業”等榮譽稱號。
（中國粉體網編輯整理/山川）
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