中國粉體網(wǎng)訊 1月11日，廣東省能源局發(fā)布廣東芯粵能半導體有限公司“面向車規(guī)級和工控領(lǐng)域的碳化硅芯片制造項目”節(jié)能報告的審查意見：項目采用的主要技術(shù)標準和建設方案符合國家相關(guān)節(jié)能法規(guī)及節(jié)能政策的要求，原則同意該項目節(jié)能報告。
芯粵能碳化硅項目占地150畝，一期投資35億元，建成年產(chǎn)24萬片6英寸碳化硅晶圓的生產(chǎn)線；二期建設年產(chǎn)24萬片8英寸碳化硅晶圓的生產(chǎn)線。
產(chǎn)品包括碳化硅SBD/JBS、MOSFET、IGBT等功率器件，主要應用于新能源汽車、充電樁、工業(yè)電源、智能電網(wǎng)以及光伏發(fā)電等領(lǐng)域，達產(chǎn)后年產(chǎn)值將達100億元。
該公告顯示，此項目主要建設內(nèi)容包括：建設年產(chǎn)24萬片6英寸碳化硅基晶圓芯片生產(chǎn)線，主要建構(gòu)筑物包括生產(chǎn)廠房、生產(chǎn)調(diào)度廠房、研發(fā)廠房、綜合動力站、綜合倉庫、硅烷站、化學品庫、廢水處理站、危險品庫、大宗氣站等，主要設備包括光刻機、涂膠顯影機、刻蝕機、烘箱、高溫氧化爐管、高溫激活爐管、清洗機、冷水機組、純水制備系統(tǒng)、燃氣鍋爐等。
項目能耗量和主要能效指標：項目建成投產(chǎn)后，年綜合能耗不高于10277噸標準煤（當量值），其中年電力消耗量不高于6450萬千瓦時、天然氣消耗量不高于175萬立方米；項目集成電路晶圓制造單位產(chǎn)品電耗不高于0.72千瓦時/平方厘米。
傳統(tǒng)硅材料在 MOSFET、IGBT、功率 IC 等領(lǐng)域的 器件性能已經(jīng)逐漸接近極限，已無法適應新興市場快速發(fā)展的變革需要，基于寬禁帶半導體 SiC 制造的功率器 件具有更為優(yōu)越的物化性能。通過在導電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延，即可得到適用于新能源汽車、光伏、 交通軌道等領(lǐng)域的功率器件。它們相較于硅基器件具有更高的工作溫度、擊穿電壓以及優(yōu)越的開關(guān)性質(zhì)，其開 關(guān)頻率和功率頻率都輕易突破了傳統(tǒng)材料的上限，因此廣泛用于新能源汽車等領(lǐng)域。
國產(chǎn)碳化硅MOSFET晶圓
芯粵能定位車規(guī)級和工控級兩大領(lǐng)域的功率平臺和產(chǎn)品，正符合現(xiàn)在市場的發(fā)展趨勢和需求。2022年11月21日，芯粵能碳化硅芯片制造項目潔凈室全面啟用，標志著芯粵能項目土建施工進入尾聲，緊接著就是工藝設備的有序搬入和安裝調(diào)試，為2023年初項目試投產(chǎn)做準備。
據(jù)調(diào)研，芯粵能已開始對國內(nèi)外襯底與外延產(chǎn)品做調(diào)研及購買，為后續(xù)公司芯片產(chǎn)品驗證和產(chǎn)線通線做進一步準備！
來源：半導體前沿、廣東省發(fā)改委官網(wǎng)
（中國粉體網(wǎng)編輯整理/空青）
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