荷蘭阿斯麥光刻 ASML 是半導體行業的領先供應商，為芯片制造商提供硬件、軟件和服務，以大規模生產集成電路（芯片）。在其 2023 年年度報告中稱贊 VSParticle 的旅程不僅體現了其當前的成功，也體現了其重塑材料科學的創新方法。隨著 VSParticle 在材料研究方面不斷取得突破，Make Next Platform 的支持將助力推動創新和引領更廣泛的技術進步。
VSParticle 火花燒蝕納米氣溶膠沉積系統可用于 MEMS 制造氣體傳感器氣敏涂層，電催化劑涂層的制備，是為數不多可以在常壓狀態下制備 20nm 以下納米粒子的氣相沉積方法。目前已在浙江大學，東南大學，北京工業大學，中科院物理所，中南大學，廣東工業大學等學術機構以及企業裝機�；鸹g沉積技術的獨特性已被眾多學者證明，在 Nature，Matter, Advanced Functional Materials 等高水平期刊發表相關文章，是新型納米制造的利器。
Part 1 VSParticle 和 ASML 有什么聯系？
VSParticle (VSP) 起源于荷蘭代爾夫特理工大學，其使命是解鎖前所未有的新型高科技材料。隨著氣候變化問題愈加嚴重，現代社會對于太陽能、風能、電動汽車等可持續技術的需求更加緊迫，也創造出更多對于新材料的需求。但問題是，大多數能源應用都需要獨特的納米多孔材料，而目前還沒有成熟的制造工藝。
VSP 開發了一種獨特的納米材料合成和沉積工藝，該工藝針對制造納米多孔材料進行了全面優化。其中 VSP P1 納米印刷沉積設備可通過火花燒蝕技術將任何固體導電材料轉化為非常小且純凈的納米顆粒，這些納米顆粒由載氣輸送到沉積階段，由此構建新的納米多孔材料。
為了在未來 10 年開啟 100 年的材料創新之路，VSP 正在將其技術引入到世界各地頂尖大學和研究所的材料研發活動以及工業制造中，當前在全球銷售近 50 套研發系統，并正在加速生產工具的開發。
Make Next Platform 助力 VSP
為了獲得 ASML 等領先原始設備制造商公司的支持，并結合企業下一步發展計劃, VSP 于 2022 年 11 月加入 Make Next Platform 平臺。
關于 Make Next Platform：Make Next Platform 由原始設備制造廠商 ASML、Huisman、Vanderlande 和 Stichting TechnologyRating 于 2016 年創立。Thales NL 于 2019 年作為聯合創始人加入。他們共同支持年輕、創新、有前途的高科技公司擴大其活動規模。他們利用自己的網絡、能力、專業知識和經驗來回答平臺內高科技公司在發展過程中遇到的問題。
由此 VSP 的管理團隊每季度都會與 Marco Wieland（ASML 院士）和 Remko de Lange（Vanderlande 戰略副總裁）會面，以改進公司的總體戰略。
會議內容包括深入探討如何在硬件開發中應用 Scrum 和基于價值的定價等主題，并邀請 ASML 的多位專家參與其中，這些支持成功地促進了 VSP 的增長。從 ASML 等領先公司獲得正確的見解與指導將幫助 VSP 具備足夠的能力克服挑戰并在未來的動態歲月中取得成功。
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“Make Next Platform認為 VSP 的火花燒蝕技術是一項突破性技術，有可能有助于實現能源轉型。對我個人來說，很高興有機會近距離見證一家可能產生如此重要影響的公司的發展 , 我很高興能夠通過指導他們來貢獻自己的一點力量。”- Marco Wieland，ASML 研究員。
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“VSParticle 的納米材料創新正在加速解決氣候變化和能源危機。與他們合作激發了我提供專業知識和助力其擴大規模的熱情。反過來，他們的創業精神也給了我靈感”- Remko de Lange，戰略副總裁，Vanderlande 。
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“在 Make Next Platform 的幫助下，VSParticle 可以站在行業巨人的肩膀上實現增長。來自 ASML 和 Vanderlande 等先進制造商的支持，為我們提供了豐富的知識，幫助我們構建公司結構并定義關鍵流程。我們將利用 ASML 卓越的供應鏈助力 VSParticle 進入工業市場，關注用于綠色氫氣生產的催化劑涂層膜 (CCM) 和下一代氣體傳感技術�！�- Aaike van Vugt，首席執行官兼聯合創始人,VSParticle。
Part 2 關于 VSParticle P1 納米印刷沉積系統
VSParticle-P1 納米印刷沉積系統，可以實現具有獨特性能的無機納米結構材料的打印直寫。這些顆粒通常小于 10 nm，而且沒有引入任何的化學添加劑和墨水組分，可以較大程度保留顆粒本身的性質。該打印系統還提供打印不同成分和厚度的納米多孔層的選項。
VSP-P1 納米印刷沉積系統
性能參數
模塊化設計：內置的納米顆粒發生器模塊可獨立使用
顆粒產生方式：等離子火花放電
支持材料：金屬，金屬氧化物，合金，部分半導體材料，碳等
初始顆粒粒徑：1-20 nm
實現功能：團簇顆粒的圖案化沉積
載氣及運行環境：常壓常溫，1-25 SLM 氮氣 / 氬氣
打印區域：15 × 15 cm
線寬控制：最小 100 um
涂層厚度：團簇-微米級
應用領域：電催化，傳感器，線路互聯，增強拉曼等
