中國(guó)粉體網(wǎng)訊 最近，韓媒爆出猛料——SK集團(tuán)聯(lián)手三星電子、Above Semiconductor搞了個(gè)國(guó)家級(jí)大項(xiàng)目“SiC·GaN功率半導(dǎo)體”！更狠的是，董事長(zhǎng)崔泰源直接放話：“今年就要量產(chǎn)8英寸碳化硅襯底！”
好家伙，韓國(guó)在碳化硅領(lǐng)域這是要“彎道超車”的節(jié)奏��！
韓國(guó)砸錢(qián)史：鈔能力全開(kāi)！
SiC作為一種高性能的半導(dǎo)體材料，具有耐高溫、高電壓、高頻率等優(yōu)異特性，在新能源汽車、智能電網(wǎng)、航空航天等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。
事實(shí)上，韓國(guó)一直較為重視碳化硅乃至整個(gè)第三代半導(dǎo)體的發(fā)展。早在2000年韓國(guó)便制訂了GaN開(kāi)發(fā)計(jì)劃，政府在2004~2008年投入4.72億美元，企業(yè)投入7.36億美元以支持韓國(guó)進(jìn)行光電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展，使韓國(guó)成為亞洲最大的光電子器件生產(chǎn)國(guó)。
2010—2012年間韓國(guó)投入約4500萬(wàn)美金以推動(dòng)MOCVD機(jī)臺(tái)實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化、引進(jìn)制程自動(dòng)化系統(tǒng)并開(kāi)發(fā)高速封裝、監(jiān)測(cè)設(shè)備。
圖片來(lái)源：pexels
2017年，韓國(guó)產(chǎn)業(yè)通商資源部（MOTIE）舉辦研討會(huì)，為了強(qiáng)化系統(tǒng)半導(dǎo)體的競(jìng)爭(zhēng)力，產(chǎn)、官、學(xué)三界聯(lián)手投資4645億韓元（4.15億美元），開(kāi)發(fā)低能源、超輕量和超高速的半導(dǎo)體芯片。這當(dāng)中1326億韓元用于開(kāi)發(fā)先進(jìn)超輕量傳感器，837億韓元投入低耗能的SiC功率半導(dǎo)體，47億韓元投資超高速存儲(chǔ)器和系統(tǒng)整合設(shè)計(jì)技術(shù)。
同時(shí)，韓國(guó)宣布啟動(dòng)“X-bandGaN半導(dǎo)體集成電路”國(guó)產(chǎn)化課題。韓國(guó)無(wú)線通信設(shè)備半導(dǎo)體企業(yè)RFHIC（艾爾福）被選定為課題牽頭企業(yè)，SKSiltron將參與SiC基板/GaN樹(shù)脂的制作，LIGnex1負(fù)責(zé)系統(tǒng)的驗(yàn)證，韓國(guó)電子通信研究院(ETRI)的半導(dǎo)體工廠將被用來(lái)進(jìn)行GaNMMIC的制作。
2019年7月，韓國(guó)政府宣布，為支援半導(dǎo)體材料以及設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化，每年將提供1兆韓元（約合8.5億美元）的預(yù)算。
2021年4月，韓國(guó)政府發(fā)布了先進(jìn)功率半導(dǎo)體研發(fā)和產(chǎn)能提升計(jì)劃，將專注于SiC、GaN和氧化鎵三種材料的應(yīng)用技術(shù)。該計(jì)劃提出，到2022年，韓國(guó)政府將注資60億韓元（3499萬(wàn)人民幣），用于建設(shè)基礎(chǔ)設(shè)施，與晶圓廠一起設(shè)立6至8英寸的制程。
2022年2月，韓國(guó)媒體報(bào)道將在當(dāng)年韓國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資總額中，用1.3萬(wàn)億韓元（合計(jì)約69億人民幣）用于專注于芯片設(shè)計(jì)和碳化硅化合物半導(dǎo)體的中小企業(yè)。另外1.8萬(wàn)億韓元（合計(jì)95.3億人民幣）用于專注于原材料、零部件、設(shè)備和半導(dǎo)體后處理的中小企業(yè)。
2022年4月，韓國(guó)推出其由國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)、大學(xué)、研究所等組成的“新一代晶體工程部”。以開(kāi)發(fā)新一代功率半導(dǎo)體，應(yīng)對(duì)碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)和氧化鎵(Ga203)等快速增長(zhǎng)的全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)。其中，LXSemicon、SKsiltron、HanaMaterials、STI等30家功率半導(dǎo)體公司將參與材料、零件、設(shè)備的功率半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)。
2024年，韓國(guó)貿(mào)易、工業(yè)和能源部宣布投資約5.22億人民幣，在釜山建設(shè)一座8英寸SiC功率半導(dǎo)體示范基地。這一舉措將極大地加強(qiáng)韓國(guó)在SiC等化合物功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的研發(fā)和生產(chǎn)能力，為韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的升級(jí)換代提供有力支撐。此外，韓國(guó)產(chǎn)業(yè)技術(shù)規(guī)劃和評(píng)估研究院(KITIE)還計(jì)劃投資約7.23億人民幣，用于支持SiC及GaN等化合物功率半導(dǎo)體的先進(jìn)技術(shù)開(kāi)發(fā)項(xiàng)目。
全產(chǎn)業(yè)鏈制造已見(jiàn)雛形
SiC的產(chǎn)業(yè)鏈主要由單晶襯底、外延、器件、制造和封測(cè)等環(huán)節(jié)構(gòu)成。近幾年韓國(guó)的SiC產(chǎn)業(yè)布局速度也在加快，從襯底、外延、器件到模組的SiC全產(chǎn)業(yè)鏈條正在逐漸完善，各個(gè)環(huán)節(jié)產(chǎn)線都正在建設(shè)當(dāng)中。
設(shè)備及原料方面，韓國(guó)的STI是一家主要研發(fā)半導(dǎo)體石英玻璃電爐、SiC半導(dǎo)體生長(zhǎng)爐等設(shè)備的設(shè)備公司。目前STI自主研發(fā)了SiC PVT生長(zhǎng)爐，成功的開(kāi)發(fā)出純度為99.9998%的5N級(jí)錠粉，實(shí)現(xiàn)了韓國(guó)關(guān)鍵半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)錠粉的本地化。
其襯底企業(yè)有SK Siltron、Senic等。SK Siltron是韓國(guó)的主要的SiC襯底廠家。2021年2月，SK Siltron宣布已開(kāi)始生產(chǎn)少量的碳化硅襯底晶片。2019年9月SK Siltron以28.5億人民幣收購(gòu)了杜邦SiC晶圓事業(yè)部。2021年下半年，SK Siltron還買了另一家工廠，該工廠將生產(chǎn)碳化硅晶圓的基礎(chǔ)材料，即錠和晶圓。SK Siltron CSS還于2022年11月與美國(guó)射頻半導(dǎo)體公司Kobo、今年1月與德國(guó)英飛凌簽署了長(zhǎng)期SiC晶圓供應(yīng)合同。此外，SK還收購(gòu)了一家高壓MOSFET技術(shù)的公司Powertechnix，SK成為擁有SiC全產(chǎn)業(yè)鏈的廠商。
2023年，上面提到的設(shè)備及原料供應(yīng)商ST也宣布將在釜山市建設(shè)一個(gè)年產(chǎn)3萬(wàn)片SiC晶圓的新工廠，以支持韓國(guó)車規(guī)SiC的本土供應(yīng)。2024年8月，另一家材料及晶圓企業(yè)Nano CMS宣布，公司新碳化硅（SiC）材料加工廠已竣工，并于當(dāng)月開(kāi)始全面運(yùn)營(yíng)，該企業(yè)碳化硅顆粒、碳化硅晶錠和6英寸導(dǎo)電型碳化硅晶圓。
外延方面，除了SK Siltron外，韓國(guó)還有Arche、LX Semicon等廠商。Arche是韓國(guó)首個(gè)宣布量產(chǎn)SiC外延片的廠商。
SiC生產(chǎn)材料方面，韓國(guó)有HANAMaterials、SKC Solmics等幾個(gè)企業(yè)。器件方面除了SK Siltron，還有TRinno Technology公司。
看得出來(lái)，尤其是近幾年，韓國(guó)向碳化硅發(fā)起了猛攻，并已經(jīng)完成碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈的初步建設(shè)。此外，韓國(guó)擁有現(xiàn)代汽車、三星電子、LG電子等全球汽車、家電企業(yè)，在應(yīng)用方面也給予了其極大的信心。
參考來(lái)源：全球半導(dǎo)體觀察、行家說(shuō)三代半、今日半導(dǎo)體、電力電子網(wǎng)、中國(guó)粉體網(wǎng)
（中國(guó)粉體網(wǎng)/山川）
注：圖片非商業(yè)用途，存在侵權(quán)告知?jiǎng)h除
