中國粉體網(wǎng)訊 近日，山西省科學技術(shù)廳發(fā)布重要通知，經(jīng)2025年5月19日省科技廳第13次黨組（擴大）會議審議通過，同意7項省科技重大專項計劃“揭榜掛帥”（半導體與新材料領域）項目延期至2025年12月。這一舉措旨在給予科研團隊更充足的時間，全力攻克關鍵核心技術(shù)，推動山西在半導體與新材料領域?qū)崿F(xiàn)技術(shù)飛躍，助力產(chǎn)業(yè)升級。
此次延期的7個項目主要是半導體與新材料領域，其中包含三項碳化硅單晶材料及設備項目。
大尺寸4H-SiC單晶襯底材料制備產(chǎn)業(yè)化技術(shù)研發(fā)項目
該項目由山西爍科晶體有限公司發(fā)起需求，河北普興電子科技股份有限公司揭榜。項目自2022年1月啟動，原計劃2024年12月完成，此次延期至2025年12月。
SiC單晶襯底作為制造高性能半導體器件的關鍵材料，在新能源汽車、5G通信等領域有著廣泛應用。4H-SiC由于其優(yōu)異的物理性能而被認為是最適合用于高功率和高頻器件的半導體材料之一，目前，用于功率器件制造的6英寸4H-SiC襯底正在大規(guī)模生產(chǎn)中，而大尺寸的4H-SiC單晶襯底制備技術(shù)難度極大，此前，國內(nèi)相關技術(shù)受國外限制，嚴重制約產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
河北普興電子科技股份有限公司隸屬中國電子科技集團，前身是中電科集團第十三研究所半導體材料專業(yè)部硅外延課題組，是國家認定的高新技術(shù)和集成電路生產(chǎn)企業(yè)，致力于高性能半導體外延材料的研發(fā)和生產(chǎn)。
8英寸SiC單晶生長設備研發(fā)項目
該項目山西爍科晶體有限公司聯(lián)合中國電子科技集團公司第二研究所，致力于研發(fā)8英寸SiC單晶生長設備。該項目延期至2025年12月。
碳化硅制造裝備是碳化硅技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基礎，碳化硅單晶生長爐的技術(shù)水平、工藝能力及自主保障是碳化硅材料向大尺寸、高良率方向發(fā)展的關鍵，也是牽引第三代半導體產(chǎn)業(yè)向低成本、規(guī)模化發(fā)展的主要因素。目前，國際上先進的SiC單晶生長設備被少數(shù)企業(yè)壟斷，該項目的成功研發(fā)，將填補國內(nèi)在這一領域的技術(shù)空白，提升我國SiC晶體生產(chǎn)的自主化水平，推動山西在半導體高端裝備制造領域嶄露頭角。
中國電子科技集團公司第二研究所成立于1962年，是我國以智能制造、微電子裝備及應用、碳化硅裝備及應用、新能源裝備及應用等產(chǎn)品研發(fā)生產(chǎn)的骨干單位。多年來，二所立足自主裝備，與產(chǎn)業(yè)融合，形成了獨具特色的高端智能制造和工藝技術(shù)系統(tǒng)集成的能力。
SiC晶體激光誘導剝離工藝與裝備研發(fā)
該項目由中國電子科技集團公司第二研究所發(fā)起需求，河北同光半導體股份有限公司揭榜。
激光剝離技術(shù)可將晶錠加工成晶片，是多線切割的替代技術(shù)。相比之下，激光剝離技術(shù)更適合材料成本高、晶錠長度短的硬脆晶體加工領域，實現(xiàn)晶體加工成本的大幅下降，并提高加工效率與加工質(zhì)量。同時隨著襯底尺寸擴徑、廠商擴產(chǎn)，激光切割設備經(jīng)濟型增強，將有助于碳化硅襯底產(chǎn)量進一步提升，降低襯底成本并加速碳化硅器件的滲透。
2022年，中電科二所在SiC激光剝離設備研制上取得突破性進展，先后完成單機設備調(diào)試、碳化硅SBD整線工藝調(diào)試。
根據(jù)《山西省人民政府辦公廳關于印發(fā)山西省科技計劃項目管理辦法的通知》等相關規(guī)定，此次項目延期是綜合考慮科研實際進展與項目難度后做出的審慎決策。
來源：
山西省科學技術(shù)廳、企業(yè)官網(wǎng)、山西科技報新媒體
（中國粉體網(wǎng)編輯整理/空青）
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