隨著科學(xué)技術(shù)的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體材料的革新速度也進(jìn)一步加快。當(dāng)前，碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，在新能源汽車(chē)、光伏、儲(chǔ)能等新興領(lǐng)域正快速滲透，已成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的前沿和制高點(diǎn)。同時(shí)，我國(guó)“十四五”規(guī)劃已將碳化硅半導(dǎo)體納入重點(diǎn)支持領(lǐng)域，碳化硅半導(dǎo)體將在我國(guó)5G基站建設(shè)、特高壓、城際高速鐵路和城市軌道交通、新能源汽車(chē)充電樁、大數(shù)據(jù)中心等新基建領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。
近年來(lái)，我國(guó)在SiC材料領(lǐng)域取得了顯著進(jìn)展，但與國(guó)際先進(jìn)水平相比，在晶體生長(zhǎng)技術(shù)、晶圓加工技術(shù)等方面仍存在一定差距。SiC晶體生長(zhǎng)過(guò)程中面臨著晶體缺陷控制、生長(zhǎng)速率提升、晶體質(zhì)量穩(wěn)定性等難題；晶圓加工方面，則存在加工精度不足、良品率低、加工成本較高等挑戰(zhàn)。在當(dāng)前倡導(dǎo)節(jié)能減排的大趨勢(shì)下，快速穩(wěn)定地突破碳化硅單晶尺寸和質(zhì)量等關(guān)鍵問(wèn)題，才能夠更好地占據(jù)未來(lái)碳化硅市場(chǎng)。
在此背景下，中國(guó)粉體網(wǎng)將于2025年8月21日在江蘇·蘇州舉辦第三代半導(dǎo)體SiC晶體生長(zhǎng)及晶圓加工技術(shù)研討會(huì)，大會(huì)將匯聚國(guó)內(nèi)行業(yè)專(zhuān)家、學(xué)者、技術(shù)人員、企業(yè)界代表圍繞晶體生長(zhǎng)工藝、關(guān)鍵原材料、生長(zhǎng)設(shè)備及應(yīng)用、碳化硅晶片切、磨、拋技術(shù)等方面展開(kāi)演講交流。上海映智研磨材料有限公司作為參展單位邀請(qǐng)您共同出席。
上海映智研磨材料有限公司由張澤芳博士為核心的CMP研究團(tuán)隊(duì)共同創(chuàng)建于2013年，主營(yíng)業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體及其他產(chǎn)業(yè)CMP制程材料的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。目前公司產(chǎn)品包括：用于集成電路拋光中研磨顆粒(高純度硅溶膠)、半導(dǎo)體襯底及其他材料CMP制程所必須的拋光液和拋光墊三大種類(lèi)，應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋：
1）大硅片、砷化鎵、碳化硅等半導(dǎo)體晶圓的CMP制程
2）集成電路CMP制程
3）其他類(lèi)（LED藍(lán)寶石襯底、消費(fèi)類(lèi)電子及光學(xué)金屬、玻璃等）CMP制程
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