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氧化銦錫靶材用途
上海矽諾國際貿(mào)易有限公司 2020-06-30 點擊2047次
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在薄膜晶體管液晶顯示器（t h i n—f i l m t r a n s i s t o r—l i q u i dcrystal display，TFT—LCD）中的導(dǎo)電薄膜按材質(zhì)分為遮光型和透光型2大類。遮光型導(dǎo)電薄膜就是普通的導(dǎo)電金屬，如鋁（A l）、銅（C u）、鉬（M o）、鉻（C r）、鈦（T i）等。透光薄膜一般是在一些半導(dǎo)體氧化物中摻雜金屬元素，如I TO等[1]。T FT—LCD導(dǎo)電薄膜的特殊性在于使用了透明的摻錫
氧化錫，所以已成為TF T—L CD的制造重要的電極材料。
T F T—L C D工藝按順序分為陣列( A r r a y )、成盒( C e l l )和模塊(Mo d u l e )。以5層薄膜圖案的工藝為例，I TO靶材主要是通過濺射（sputter）成膜工藝形成像素電極，與彩膜基板上的共用電極一起形成液晶像素的上下電極，控制液晶分子的旋轉(zhuǎn)實現(xiàn)顯示。其在5層薄膜圖案的工藝流程是: 濺射前清洗→ITO濺射→I T O后清洗→涂膠→曝光→顯影→顯影后檢查→I T O濕刻→刻蝕后檢查→去膠→退火→陣列終檢→激光修復(fù)
此外，I T O薄膜還有2個作用：一是存儲電容上的I T O為存儲電容的另一個電極，與第一次光刻的金屬電極一起形成了存儲電容的上下電極，2電極之間的介質(zhì)層為絕緣層和鈍化層。二是外引線處的I T O為柵線和信號線金屬的保護(hù)層，為防止金屬電極直接暴露在大氣下氧化，在外引線暴露金屬電極的部分覆蓋上I T O起到保護(hù)作用。