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Nano-master 離子束刻蝕濺射鍍膜一體機(jī) NOC-4000

NANO-MASTER 的 NOC 系列光學(xué)鍍膜系統(tǒng)提供***的原子級(jí)清洗、拋光以及光學(xué)鍍膜技術(shù)。

光學(xué)樣片放置于一個(gè)腔體種進(jìn)行原子級(jí)清洗和拋光處理，之后自動(dòng)傳送到第二個(gè)腔體中進(jìn)行光學(xué)鍍膜，這個(gè)過程無需間斷真空。系統(tǒng)也可以獨(dú)立使用其中的一個(gè)腔體，每一個(gè)都可以實(shí)現(xiàn)各自的自動(dòng)上/下載片功能。

緊湊型設(shè)計(jì)，占地面積僅為 46”x44”，不銹鋼立柜。

工藝過程通過觸摸屏 PC 和 LabView 軟件，可實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)的 PC控制，具有高度的可重復(fù)性，且具有友好的用戶界面。

系統(tǒng)具有完整的安全聯(lián)鎖，提供四級(jí)密碼授權(quán)訪問保護(hù)，含：

。操作者權(quán)限：運(yùn)行程序

。工藝師權(quán)限：添加/編輯和刪除程序

。工程師權(quán)限：可獨(dú)立控制子系統(tǒng)，并開發(fā)程序

。服務(wù)權(quán)限：NM 工程師故障診斷和排除

真空系統(tǒng)包含渦輪分子泵和機(jī)械泵，極限真空可達(dá)到 5 x10-7Torr。渦輪分子泵與腔體之間的直連設(shè)計(jì)，系統(tǒng)可獲得**的真空傳導(dǎo)率，基本可以達(dá)到 15 分鐘可達(dá)到工藝真空，8 小時(shí)達(dá)到腔體極限真空。腔體壓力調(diào)節(jié)通過 PC 自動(dòng)控制渦輪速度而全自動(dòng)調(diào)節(jié)，快速穩(wěn)定。

在**個(gè)腔體中通過離子束可達(dá)到原子級(jí)的清洗，離子源安裝在腔體頂部，離子源配套 2KV，300mA 的電源。樣品臺(tái)配套 4”或 6”基片夾具、水冷，并可對(duì)著離子束流實(shí)現(xiàn)+900C 到-900C 旋轉(zhuǎn)。系統(tǒng)配套氣動(dòng)遮板，使得工藝運(yùn)行前穩(wěn)定離子束流。

根據(jù)應(yīng)用需要可以升級(jí)離子源，以支持更大尺寸晶圓片的處理。

第二個(gè)腔體可以根據(jù)應(yīng)用需要配套 ALD、PECVD、磁控、電子束蒸鍍、熱蒸鍍等鍍膜。

膜厚監(jiān)控儀校準(zhǔn)后可實(shí)現(xiàn)原位膜厚測(cè)量，可以工藝時(shí)間或工藝膜厚為工藝終點(diǎn)條件，系統(tǒng)支持設(shè)定目標(biāo)膜厚，當(dāng)達(dá)到設(shè)定的目標(biāo)膜厚時(shí)全自動(dòng)結(jié)束工藝。水冷保護(hù)晶振夾具，膜厚和沉積速率以及晶振壽命可顯示，可存儲(chǔ)高達(dá) 100 個(gè)膜厚數(shù)據(jù)。

系統(tǒng)的兩個(gè)腔體均配套單片的 Auto L/UL，可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)進(jìn)樣、對(duì)準(zhǔn)、出樣，在不間斷工藝真空情況下連續(xù)處理樣片。Load Lock腔體帶獨(dú)立真空系統(tǒng)和真空計(jì)，通過 PC 全自動(dòng)監(jiān)控。兩個(gè)腔體之間可以互相傳送樣片。整個(gè)過程計(jì)算機(jī)全自動(dòng)控制。

應(yīng)用：

。光學(xué)鍍膜

。 Sputterint 濺射

。IBAD 離子束輔助沉積

。離子束刻蝕清洗

。離子束輔助反應(yīng)性刻蝕

。紅外鍍膜

。表面處理

設(shè)備特點(diǎn)：

。RF 射頻偏壓樣品臺(tái)

。膜厚原位監(jiān)測(cè)

。極限真空 5 x 10-7Torr

。 **的真空傳導(dǎo)率設(shè)計(jì)，具有快速真空能力

。 PC 全自動(dòng)控制，超高的精度及可重復(fù)性

。高質(zhì)量薄層

。原子級(jí)的超凈表面

。原子級(jí)清洗和拋光

。 LabView 軟件的 PC 控制系統(tǒng)

。自動(dòng)上/下載片

。兩個(gè)腔體可以分別獨(dú)立使用并實(shí)現(xiàn)自動(dòng)上下載片

。兩腔體之間自動(dòng)傳送，雙向傳送支持

。菜單驅(qū)動(dòng)，密碼保護(hù)

。安全互鎖

。占地面積 46”D x 44”W

系統(tǒng)可選：

。向下/向上濺射

。共濺射

。DC， RF 以及脈沖電源

。離子束輔助沉積

。電子束源

。熱蒸鍍

。等離子源

。 ALD 沉積或 PECVD 沉積

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