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“For Wafer” Perpendicular Magnetic Layer Evaluation System “晶片”垂直磁層評估系統 | |
優勢 | |
測量垂直磁層12英寸的晶圓 | |
規格 | |
主要功能 | Kerr Loop Measurement and Mapping Measurement (Polar Kerr Effect) |
光源 | Diode Laser |
探測光斑 | φ1mm (Typ.) |
磁場 | Max. ± 25Oe (2.5T) |
“For Wafer” In-Plane Magnetic Layer Evaluation System “晶片”平面磁層評估系統 | |
優勢 | |
測量平面磁層12英寸的晶圓 | |
規格 | |
主要功能 | Kerr Loop Measurement and Mapping Measurement (Longitudinal Kerr Effect) |
光源 | Diode Laser |
探測光斑 | φ1mm (Typ.) |
磁場 | Max. ± 2kOe (0.2T) |
“For Hard Disc” Perpendicular Magnetic Recording Layer Evaluation System “硬盤”垂直磁記錄層評估系統 | |
優勢 | |
測量垂直磁性介質的2.5英寸和3.5英寸的硬盤 | |
規格 | |
主要功能 | Kerr Loop Measurement and Mapping Measurement (Polar Kerr Effect) |
光源 | Diode Laser |
探測光斑 | φ1mm (Typ.) |
磁場 | Max. ± 25kOe (2.5T) |
“For Hard Disc” Soft Under Layer (SUL) Evaluation System “硬盤”下軟層評估系統 | |
優勢 | |
測量軟層下的2.5英寸和3.5英寸的硬盤 | |
規格 | |
主要功能 | Kerr Loop Measurement and Mapping Measurement (Longitudinal Kerr Effect) |
光源 | Diode Laser |
探測光斑 | φ1mm (Typ.) |
磁場 | Max. ± 3kOe (0.3T) |
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