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主要技術指標
●靶材數量：2-4個
●基片尺寸：2-8英寸
●基片臺轉速：5-30rpm，轉速連續可調
主要特點
●具有多個濺射靶，可沉積單層、多層薄膜、合金薄膜和摻雜薄膜；
●濺射方式：自下而上濺射、自上而下濺射可選；
●基片臺可加熱，可制備單晶薄膜；
●可選配輔助清洗離子源，有效提高薄膜的附著力；
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