推薦實(shí)現(xiàn)4寸結(jié)晶成長(zhǎng)，GaN基板將提早量產(chǎn)

中國粉體網(wǎng)訊 據(jù)日本化學(xué)工業(yè)日?qǐng)?bào)報(bào)道，三菱化學(xué)與日本制鋼所合作研發(fā)的氮化鎵(Gallium Nitride; GaN)基板技術(shù)，經(jīng)確認(rèn)結(jié)晶成長(zhǎng)已達(dá)4寸。氮化鎵是鎵與氮的化合物，是實(shí)現(xiàn)超高效率元件的關(guān)鍵材料，業(yè)界相當(dāng)期待正式普[更多]