推薦微電子所在氮化鎵界面態(tài)研究方面取得進(jìn)展

中國粉體網(wǎng)訊 近日，中國科學(xué)院微電子研究所高頻高壓中心研究員劉新宇團(tuán)隊(duì)等在GaN界面態(tài)研究領(lǐng)域取得進(jìn)展，在LPCVD-SiNx/GaN界面獲得原子級平整界面和國際先進(jìn)水平的界面態(tài)特性，提出了適用于較寬能量范圍的界面態(tài)U型分布[更多]