中國粉體網訊 隨著半導體技術的快速發展,下一代功率與射頻器件對材料性能和加工精度提出了更高要求。氮化鎵(GaN)、氧化鎵(Ga2O3)和金剛石作為寬禁帶半導體材料,因其卓越的物理化學特性,成為推動功率與射頻器件性能突破的關鍵[更多]
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