推薦高純度碳化硅清潔生產

中國粉體網訊 SiC具有寬帶隙、高臨界擊穿場強、高熱導率、高載流子飽和遷移率等優(yōu)點，特別適合于制造高頻、大功率、抗輻射、抗腐蝕的電子器件，是半導體材料領域中較有前景的材料之一。碳化硅的物理化學性能SiC晶體材料的發(fā)展歷史已有[更多]