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中國粉體網(wǎng)訊 碳化硅(SiC)作為寬禁帶半導體材料,相對于Si基器件具備降低電能轉換過程中的能量損耗、更容易小型化、更耐高溫高壓的優(yōu)勢。如今,SiC“上車”已成為新能源汽車產業(yè)難以繞開的話題,而這要歸功于搭載意法半導體碳化硅[更多]

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