推薦超低阻歐姆接觸！金剛石半導體器件重大突破！

中國粉體網訊近日，哈工大紅外薄膜與晶體團隊創新提出過渡金屬（TMs）金屬化方法，首次在絕緣的氧終端本征金剛石（OTD）表面制備出了有效歐姆接觸，10-8Ωcm2級別極低比接觸電阻打破了金剛石器件領域近三十年的記錄。相關成果以[更多]