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蝕刻

推薦西電郝躍院士團隊實現(xiàn)硅與氮化鎵晶圓級單片異質(zhì)集成

中國粉體網(wǎng)訊 2020年7月,西安電子科技大學微電子學院關于硅與氮化鎵異質(zhì)集成芯片論文在國際半導體器件權威期刊IEEE Transactions on Electron Devices上發(fā)表,郝躍院士團隊的張家祺博士和張葦杭[更多]

資訊 氮化鎵硅芯片蝕刻
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