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氧化鎵外延片

推薦重大突破!西安郵電大學重點實驗室成功制備8英寸氧化鎵外延片

中國粉體網訊 近日,西安郵電大學由電子工程學院管理的新型半導體器件與材料重點實驗室陳海峰教授團隊成功在8吋硅片上制備出了高質量的氧化鎵外延片,這一成果標志著我校在超寬禁帶半導體研究上取得重要進展。據陳海峰教授介紹,氧化鎵是一[更多]

資訊 氧化鎵外延片第四代半導體半導體材料
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