中科院物理所微加工實驗室與日本物質材料研究機構合作，近日采用化學氣相沉積法獲得了N型的氮化硼半導體納米管。
氮化硼作為寬帶隙材料具有優異的物理性質和良好的化學惰性，是制作高可靠性器件與電路的理想電子材料之一。與碳納米管的電子結構明顯依賴于管徑與螺旋度等因素不同，氮化硼納米管通常表現出穩定一致的電學特性，有著非常誘人的應用前景。而實現氮化硼納米管的摻雜，誘導其半導體特性，是實現該材料大規模應用的關鍵。
對氮化硼納米管結構進行的系統表征證明，這是一種穩定的摻雜結構。他們發現F摻雜實現了氮化硼納米管從絕緣體向半導體的轉變，低于5%的F摻雜濃度使氮化硼納米管的電導提高3個數量級以上。這一結果為采用該材料制作納電子器件的研究奠定了基礎。
氮化硼作為寬帶隙材料具有優異的物理性質和良好的化學惰性，是制作高可靠性器件與電路的理想電子材料之一。與碳納米管的電子結構明顯依賴于管徑與螺旋度等因素不同，氮化硼納米管通常表現出穩定一致的電學特性，有著非常誘人的應用前景。而實現氮化硼納米管的摻雜，誘導其半導體特性，是實現該材料大規模應用的關鍵。
對氮化硼納米管結構進行的系統表征證明，這是一種穩定的摻雜結構。他們發現F摻雜實現了氮化硼納米管從絕緣體向半導體的轉變，低于5%的F摻雜濃度使氮化硼納米管的電導提高3個數量級以上。這一結果為采用該材料制作納電子器件的研究奠定了基礎。
