Science：化學合成半導體納米孔石墨烯

2020-07-07
來源：石墨烯聯(lián)盟

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[導讀] 西班牙加泰羅尼亞納米科技研究所Aitor Mugarza, César Moreno和西班牙圣迭戈·德孔波斯代拉大學Diego Pea團隊合作，報道了一種化學分子前驅體聚合制備1 nm孔半導體石墨烯的新策略。

中國粉體網(wǎng)訊 西班牙加泰羅尼亞納米科技研究所Aitor Mugarza, César Moreno和西班牙圣迭戈·德孔波斯代拉大學Diego Pea團隊合作，報道了一種化學分子前驅體聚合制備1 nm孔半導體石墨烯的新策略。

研究人員采用類似石墨烯納米帶的合成策略，以DP-DBBA為分子前驅體，在Au(111)單晶表面。在200℃時分子開始聚合，在400℃左右開始形成納米帶。和之前的石墨烯納米帶不一樣的是，這種石墨烯納米帶結構并不是規(guī)則的直線型，因此，當進一步進行450℃的退火操作時，石墨烯納米帶并沒有繼續(xù)變寬形成更寬的納米帶，而是聚合形成納米孔結構的石墨烯。

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/墨玉）

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