中國(guó)粉體網(wǎng)訊
【前言】
“你有你的銅枝鐵干，像刀，像劍，也像戟；
我有我紅碩的花朵，像沉重的嘆息，又像英勇的火炬。
我們分擔(dān)寒潮、風(fēng)雷、霹靂；
我們共享霧靄、流嵐、虹霓。
仿佛永遠(yuǎn)分離，卻又終身相依。”
舒婷的這首《致橡樹》用來(lái)形容攜手奮進(jìn)，為半導(dǎo)體科研事業(yè)付出了一輩子心血的中國(guó)科學(xué)院院士王圩、吳德馨這對(duì)院士伉儷再適合不過(guò)了。從參加工作到今天，歷經(jīng)近60年風(fēng)雨，他們始終把為祖國(guó)半導(dǎo)體事業(yè)的發(fā)展奉獻(xiàn)力量作為奮斗的目標(biāo)。
2015年金婚紀(jì)念日留影
王圩院士
王圩，男，1937年12月25日出生于河北省，畢業(yè)于北京大學(xué)物理系半導(dǎo)體專業(yè)。
￭1960年，畢業(yè)于北京大學(xué)物理系半導(dǎo)體專業(yè)。
￭1960年，到中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所工作至今，現(xiàn)任中科院半導(dǎo)體研究所研究員。
￭1987年赴日本東京工業(yè)大學(xué)訪問(wèn)研究一年。
￭1997年，當(dāng)選中國(guó)科學(xué)院院士。
￭2001年—2005年，負(fù)責(zé)在研的項(xiàng)目是：國(guó)家“973”項(xiàng)目:“新型量子阱功能材料和器件”。
￭2002年—2004年，國(guó)家自然基金重大項(xiàng)目:“光網(wǎng)絡(luò)用光放大器、電吸收調(diào)制器和模斑轉(zhuǎn)換器串接集成材料與器件的研究”。
吳德馨院士
吳德馨，女，半導(dǎo)體器件和集成電路專家，1936年12月20日生于河北樂(lè)亭，中國(guó)科學(xué)院微電子中心研究員。
￭1936年12月20日，生于河北樂(lè)亭。
￭1961年畢業(yè)于清華大學(xué)無(wú)線電電子工程系。
￭1991年當(dāng)選為中國(guó)科學(xué)院院士（學(xué)部委員）。
￭1992年被國(guó)家科委聘為“深亞微米結(jié)構(gòu)器件和介觀物理”項(xiàng)目首席科學(xué)家。
吳德馨院士從事砷化鎵微波集成電路和光電模塊的研究，曾獲國(guó)家和中科院一等獎(jiǎng)3項(xiàng)。
相遇——經(jīng)常交流慢慢就有了好印象
1956年國(guó)家開始編制《十二年科學(xué)技術(shù)發(fā)展規(guī)劃》（《1956~1967年科技發(fā)展規(guī)劃》），這是新中國(guó)第一個(gè)長(zhǎng)期科技發(fā)展規(guī)劃，提出對(duì)當(dāng)時(shí)國(guó)家新技術(shù)發(fā)展的“四項(xiàng)緊急措施”——計(jì)算機(jī)、電子學(xué)、半導(dǎo)體、自動(dòng)化，要求相關(guān)部門集中全國(guó)科技力量，進(jìn)行人員培養(yǎng)和科技攻關(guān)。由此，中科院物理研究所半導(dǎo)體研究室成立，1960年，在研究室為基礎(chǔ)，擴(kuò)大為中科院半導(dǎo)體研究所。上世紀(jì)60年代初，同為半導(dǎo)體專業(yè)的王圩（1960年畢業(yè)）、吳德馨（1961年畢業(yè)）先后畢業(yè)分配到中科院半導(dǎo)體研究所。據(jù)兩位院士在一次采訪中透露。
王圩：相識(shí)是很自然的過(guò)程。我們畢業(yè)之后都被分配到了半導(dǎo)體研究所。她在器件室，做硅的器件，晶體管之類。我在林蘭英先生領(lǐng)導(dǎo)下的材料室，最初來(lái)到所里是做硅單晶。他們需要硅單晶作為基片來(lái)做晶體管。她就總要到我們組里來(lái)要材料，這樣就認(rèn)識(shí)了。
吳德馨：是，材料有了問(wèn)題還得找他們研究改進(jìn)，經(jīng)常交流慢慢就有了好的印象。
1967年 年輕時(shí)期的他們
相互扶持與理解
王圩：生活上沒(méi)得說(shuō)，就是相互扶持。那時(shí)候搞研究也是加班加點(diǎn)，老人又年紀(jì)大了，家庭負(fù)擔(dān)比較重，孩子不到一歲就送了全托。
研究上，我做光電子，她做微電子，有很多地方可以互相交流。比如她現(xiàn)在做的垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL），有些就跟我們?cè)瓉?lái)做的通信光電子器件差不多。所以我們會(huì)經(jīng)常交流，我會(huì)給她提很多意見，在研究上互通有無(wú)。在家里也經(jīng)常聊，有共同語(yǔ)言，能說(shuō)一塊去。
吳德馨：就是互相支持吧。我忙了，他就負(fù)責(zé)家里的事，他忙了，就是我負(fù)責(zé)家里的事，互相理解。我當(dāng)年做存儲(chǔ)器的時(shí)候，有時(shí)候就睡在實(shí)驗(yàn)室地板上，不回家，孩子都是他管。
那一年他在日本做訪問(wèn)學(xué)者，我在109廠做引進(jìn)的進(jìn)口設(shè)備驗(yàn)收工作，自己帶著兩個(gè)孩子。每天早上來(lái)，晚上九點(diǎn)多才能回家，兩個(gè)孩子只能在外面小攤上買點(diǎn)吃的。我回不了家，也沒(méi)有電話沒(méi)法通知孩子，也沒(méi)汽車，要倒3次公交車才能到家，孩子就在大門口臺(tái)階上等。所以做完了4K，驗(yàn)收完了真是全家歡呼。
兩位院士的研究工作
據(jù)吳德馨院士講述，最開始她在王守覺先生領(lǐng)導(dǎo)下負(fù)責(zé)做硅平面型高速開關(guān)晶體管，做出來(lái)之后開關(guān)速度、閾值電壓等指標(biāo)跟國(guó)際同類產(chǎn)品水平差不多，后來(lái)推廣到了109廠（我國(guó)第一個(gè)半導(dǎo)體器件生產(chǎn)廠），又推廣到全國(guó)。后來(lái)這個(gè)器件用到了“兩彈一星”用的計(jì)算機(jī)——109乙機(jī)上。
￭1975年，半導(dǎo)體所開始做大規(guī)模集成電路，他們做出4K位的動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器，后來(lái)相繼做出來(lái)16K位、64K位的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。
￭1980年代末期，自主開發(fā)成功了3微米的CMOSLSI全套工藝技術(shù)，用于專用電路的制造。從3微米，到2微米、1微米，再到0.8微米……這么一直做下來(lái)。
￭1990年代，獨(dú)立自主開發(fā)出了全套的0.8微米CMOS工藝，并應(yīng)用于實(shí)用電路的開發(fā)。
此外，他們還研究開發(fā)以砷化鎵為基底的化合物半導(dǎo)體器件、電路。
經(jīng)過(guò)不斷努力，他們還做出了0.1微米砷化鎵/鋁鎵砷異質(zhì)結(jié)高遷移率場(chǎng)效應(yīng)晶體管，截止頻率達(dá)89GHZ；研究成功了砷化鎵/銦鎵磷異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管（HBT），截止頻率達(dá)92GHZ；還在國(guó)內(nèi)首先研制成功了全功能砷化鎵/銦鎵磷HBT 10Gpbs光纖通信光發(fā)射驅(qū)動(dòng)電路等等。與此同時(shí)，他們利用MEMS結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了激光器和光纖的無(wú)源耦合，成功做出了工作速度達(dá)2.5Gpbs的光發(fā)射模塊；垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）。
王圩院士說(shuō)：“我最初做硅材料，研究硅單晶，后來(lái)根據(jù)國(guó)家需要開始做Ⅲ-Ⅴ族化合物，做外延研究，就是研究在一個(gè)襯底上做幾個(gè)微米的Ⅲ-Ⅴ族化合物薄膜，后來(lái)又在這個(gè)基礎(chǔ)上做擴(kuò)散p/n結(jié)化合物激光器。我一開始是在材料室，只做材料，但做的過(guò)程中發(fā)現(xiàn)激光器的結(jié)構(gòu)和材料的生長(zhǎng)是分不開的，在材料生長(zhǎng)的過(guò)程中就把一部分器件結(jié)構(gòu)長(zhǎng)出來(lái)了，所以既要懂材料，又要懂器件設(shè)計(jì)，兩者密不可分，還是放在一起比較好，于是我就調(diào)到器件室了，又做材料又做器件。”
￭1979年底，及時(shí)地開展了InP基長(zhǎng)波長(zhǎng)激光器的研究工作，成立了由彭懷德負(fù)責(zé)的1.3微米激光器研究組和由我負(fù)責(zé)的1.55微米激光器研究組。
￭1981年，率先在國(guó)內(nèi)得到了室內(nèi)連續(xù)工作的1.55微米激光器。
￭開發(fā)出一種在高頻調(diào)制下仍然可以單模工作的動(dòng)態(tài)單模（DSM）激光器作為光信號(hào)源。
￭1988年底，研制出了國(guó)內(nèi)首批1.55微米動(dòng)態(tài)單頻分布反饋（DFB）激光器，解決了國(guó)內(nèi)發(fā)展第三代長(zhǎng)途干線大容量光纖通信的急需。
資料來(lái)源：
￭為了中國(guó)的半導(dǎo)體事業(yè)——訪中國(guó)科學(xué)院院士吳德馨、王圩
￭百度百科
