中國粉體網(wǎng)訊 2月4日，晶盛機電舉行6英寸雙片式碳化硅外延設(shè)備新品發(fā)布會。
6英寸雙片式碳化硅外延設(shè)備揭幕儀式，來源：晶盛機電
以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體被國家“十四五”規(guī)劃和2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)綱要列入重要發(fā)展方向。碳化硅材料在高溫、高頻、高頻領(lǐng)域逐步替代硅，在5G通信、航空航天、新能源汽車、智能電網(wǎng)領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。
根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，受新能源汽車行業(yè)龐大的需求驅(qū)動，以及光伏風(fēng)電和充電樁等領(lǐng)域?qū)τ谛屎凸囊筇嵘挠绊�，預(yù)計到2027年碳化硅功率器件的市場規(guī)模將達(dá)到62.97億美元，2021-2027年的復(fù)合增速約為34%。
據(jù)介紹，該產(chǎn)品歷時兩年的研發(fā)、測試與驗證，在外延產(chǎn)能、運營成本等方面已取得國際領(lǐng)先優(yōu)勢，與單片設(shè)備相比，新設(shè)備單臺產(chǎn)能增加70%，單片運營成本降幅可達(dá)30%以上。
6英寸雙片式碳化硅外延設(shè)備
晶盛經(jīng)過一年的研發(fā)，成功生長出行業(yè)領(lǐng)先的8英寸N型碳化硅晶體，完成了6英寸到8英寸的擴徑和質(zhì)量迭代，實現(xiàn)8英寸拋光片的開發(fā)，晶片性能參數(shù)與6英寸晶片相當(dāng)，今年二季度將實現(xiàn)小批量生產(chǎn)，為實現(xiàn)我國在第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域關(guān)鍵核心技術(shù)自主可控作出積極貢獻(xiàn)。
據(jù)悉，在今年1月12日，晶盛聯(lián)合創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園項目大樓主體全面封頂。晶盛機電投資8億元，在產(chǎn)業(yè)園建設(shè)12英寸集成電路大硅片設(shè)備測試實驗線，預(yù)計2023年7月投入使用。
據(jù)公開資料顯示，晶盛機電成立于2006年，為國內(nèi)晶體生長設(shè)備龍頭，下游覆蓋光伏、半導(dǎo)體、藍(lán)寶石、碳化硅4大領(lǐng)域。在半導(dǎo)體設(shè)備方面，其已實現(xiàn)8英寸硅片晶體生長、切片、拋光、外延加工設(shè)備全覆蓋（占比整線設(shè)備80%價值量），12英寸硅片長晶爐設(shè)備已小批量出貨，客戶包括中環(huán)、金瑞泓、有研、合晶等優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體企業(yè)。
發(fā)布會上，晶盛機電董事長曹建偉博士表示，碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈從設(shè)備到工藝的創(chuàng)新，成本快速下降，產(chǎn)能快速擴張。晶盛機電持續(xù)以科技創(chuàng)新引領(lǐng)產(chǎn)品、工藝的迭代和突破，在先進(jìn)制程及功率器件半導(dǎo)體裝備領(lǐng)域，解決“卡脖子”難題，實現(xiàn)進(jìn)口替代，助力我國加快向高端材料、高端設(shè)備制造業(yè)轉(zhuǎn)型發(fā)展的步伐。
來源：晶盛機電公眾號
（中國粉體網(wǎng)編輯整理/空青）
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