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CMP拋光材料是晶圓表面平坦化的關鍵耗材，全球市場持續擴容+國產替代進程加速，上游材料廠商直接受益。

　　1、晶圓關鍵耗材，占成本比重超80%

　　化學機械拋光（CMP）是通過化學試劑的化學腐蝕和納米磨粒的機械研磨技術結合，實現晶圓表面的高度平坦化。隨著芯片制程迭代升級，CMP拋光次數成倍數增長。根據杜邦數據，目前7nm以下邏輯芯片中CMP拋光步驟約三十步，先進芯片可達四十二步。拋光液和拋光墊是CMP拋光工藝的核心耗材，分別占拋光材料成本比重的49%和33%。

　　2、市場持續擴容，近5年復合增速達10%

　　研報指出，中國具備承接第三次半導體產業轉移的三大條件，同時疊加晶圓廠大規模資本開支帶來的旺盛需求以及芯片技術升級，CMP材料市場持續擴容。根據SEMI數據，2014-2020年全球CMP拋光材料市場規模15.7億-24.8億美元，2020年國內CMP拋光材料市場規模約為32億元，近五年復合增速維持在10%左右。

　　3、國產化加速，頭部公司直接受益

　　長期以來拋光液市場被美國和日本企業所壟斷，卡博特、日本日立以及日本富士美（CR3）合計占拋光液市場超過60%市場份額。隨著近幾年以中芯國際、長江存儲、合肥長鑫等為代表的國內晶圓企業持續擴建產能，上游核心材料的國產化配套勢迫在眉睫。我們認為目前上游核心材料國產化率普遍偏低，受到近年來接二連三“斷供”事件影響，芯片產業鏈供應安全意識上升至全所未有的高度，上游材料廠商迎來國產替代良機。