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Gatan原位加熱臺Murano 525

產(chǎn)品綜合介紹：

產(chǎn)品功能介紹
　　在掃描電鏡中對樣品加熱在許多材料科學研究中已經(jīng)成了一項必不可少的手段，使用掃描電鏡原位加熱臺可以進行動態(tài)地觀察溫度變化過程中的材料微觀變化及失效分析。如今被廣泛應用于金屬材料、液晶檢測、半導體、高分子材料、流體包裹體、生物工程等眾多領域。Murano 525 原位加熱臺能夠使我們動態(tài)地觀察樣品在加熱過程中的相變、再結晶、晶粒生長與氧化現(xiàn)象。
品牌介紹
　　美國GATAN公司成立于1964年并于70年代末進入中國市場。GATAN公司以其產(chǎn)品的高性能及技術的先進性在全球電鏡界享有極高聲譽。
　　作為****的設計和制造用于增強和拓展電子顯微鏡功能的附件廠商，其產(chǎn)品涵蓋了從樣品制備到成像、分析等所有步驟的需求。產(chǎn)品應用范圍包括材料科學、生命科學、地球物理學、電子學，能源科學等領域， 客戶范圍涵蓋全球的科研院所，高校，各類檢測機構及大型工業(yè)企業(yè)實驗室，并且在國際科學研究領域得到了廣泛認同。
經(jīng)銷商介紹
　　歐波同有限公司是中國**的微納米技術服務供應商，是一家以外資企業(yè)作為投資背景的高新技術企業(yè)，總部位于香港，分別在北京、上海、遼寧、山東等地設有分公司和辦事處。作為蔡司電子顯微鏡、GATAN掃描電子顯微鏡制樣設備及附屬分析設備在中國地區(qū)重要的戰(zhàn)略合作伙伴，公司秉承“打造國內(nèi)影響力的儀器銷售品牌”的經(jīng)營理念，與蔡司，GATAN品牌強強聯(lián)合，正在為數(shù)以萬計的中國用戶提供高品質(zhì)的產(chǎn)品與國際尖端技術服務。
產(chǎn)品主要技術特點：
　　Murano加熱臺精悍緊湊，能方便地與大多數(shù)掃描電鏡的標準樣品臺接口，它包含一個絕熱接口，適用于二次電子像、電子背散射衍射（EBSD）與聚焦離子束（FIB）加工。能夠?qū)Υ笾?mm x 4.5mm x 1.5mm大小的樣品進行快速加熱。獨特的設計使得該加熱臺可以方便地用于EBSD的幾何配置，同時保持適當?shù)墓ぷ骶嚯x。樣品臺的溫度范圍涵蓋室溫到 950℃。要進行催化、還原或氧化反應，可選配一個毗鄰樣品的毛細管，進行氣體注入。通過毛細管的外部氣體流量用法蘭上的針閥來控制。水冷底座確保對SEM的保護，可更換的熱屏蔽罩允許進行常規(guī)成像或EBSD分析，基于軟件的溫度控制器能實現(xiàn)精確的溫度控制和記錄。積分偏壓能夠甄別二次電子和熱發(fā)射電子，從而提高在高溫下的成像質(zhì)量。

　　本圖顯示從945°C  到880°C  奧氏體向鐵素體轉(zhuǎn)變的EBSD相分布圖，奧氏體為藍色（暗），鐵素體為紅色（亮）。測試僅用了一個低碳鋼試樣，加熱到945°C，然后以每分鐘1 °C的速度冷卻，直到觀察到相變開始。一旦相變開始，保溫以觀察單個晶粒中相的變化過程，然后再次冷卻。數(shù)據(jù)由OxfordInstruments的Singh Ubhi博士提供。
Murano  525原位加熱臺突出技術優(yōu)勢:
1、能夠?qū)Υ笾翑?shù)毫米的樣品快速地加熱和冷卻 (> 100 °C / 分鐘)
2、緊湊的尺寸允許 EBSD 所需的大角度傾斜，方便裝置的插入和取出
3、可進行高溫下局部氣體反應的研究
4、溫度精度<±0.5°C，穩(wěn)定性< 1°C /小時
5、配置水冷模塊，有效保護 SEM 艙室，安全地實現(xiàn) 950°C 的樣品溫度
6、對每款SEM而定制，方便安裝/拆卸，在幾分鐘內(nèi)即可把SEM樣品臺恢復到正常狀態(tài)
7、新的基于PC的溫度控器，實現(xiàn)精確控制能夠同步EBSD的面分布與溫度曲線

基于PC的溫度控器

產(chǎn)品主要技術參數(shù)：
1、工作距離：帶屏蔽的工作距離 10mm，無屏蔽的工作距離 12.5 mm
2、樣品大小：X 4.5mm，Y 9mm,Z(帶屏蔽)1.5mm, (無屏蔽)3mm
3、溫度穩(wěn)定度： ±0.5℃
4、控溫精度：±0.5℃
5、溫度范圍：950℃
6、圖像控制系統(tǒng)：DigiScanSEM數(shù)字電子束控制與圖像處理系統(tǒng)
7、保護措施：帶有熱量屏蔽裝置，對物鏡和樣品倉不產(chǎn)生明顯的熱影響，允許進行常規(guī)成像或EBSD分析
8、結構：結構緊湊，方便安裝和取出，可以方便地用于EBSD的幾何配置，同時保持適當?shù)墓ぷ骶嚯x
9、溫度控制：PID自動控制和手動控制兩種模式，可存儲所有的加熱參數(shù)，獨立軟件控制，可以實現(xiàn)同步EBSD的面分布與溫度曲線

產(chǎn)品主要應用領域：
EBSD原位分析
金屬材料
石油地質(zhì)巖石礦物
光電材料
化工高分子材料
新能源電池材料
半導體

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