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美國k-Space公司kSA400 RHEED圖像分析系統（kSA 400 Analytical RHEED System），適合各種RHEED系統和薄膜沉積系統（如：脈沖激光沉積設備PLD，濺射系統Sputtering，分子束外延MBE， 金屬有機化學氣象沉積MOCVD等）！目前第四代系統結合優質的硬件和功能強大的軟件為客戶提供廣泛的RHEED分析信息。
全球超過500個用戶，國內如南京大學、中科院半導體所、電子部11所、中國科技大學、復旦大學、上海技術物理研究所等；
技術參數：
CCD系統：高速、高分辨和高靈敏度
光學系統：RHEED定量分析及成像分析
標準接口法蘭
主要特點：
-圖像分析：單一圖像分析（靜態分析）模式，用戶選擇多圖像模式，聚焦模式（實時剖面、表面區域形貌、表面等高分析），掃描模式，錄像模式，交互圖像疊加模式，2D和3D圖像分析；
-多個衍射特性實時顯示分析，在薄膜生長、退火等過程中；
-實時薄膜生長速率監控、晶格間距和表面均勻性分析
-原位表面診斷分析
-功能強大的軟件分析功能
-RHEED振蕩追蹤檢測
-包含鎖相外延生長（PLE）、低能電子衍射（LEED）、俄歇電子能譜/光電子能譜（Auger/XPS）等可選功能；
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