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用途與特點： 用于高純硅晶體生長，為晶體生長提供熱量，局部溫度可達2200℃以上
| 推薦牌號 | KBC13 |
| 密度（g/cm3） | ≥1.25 |
| 彎曲強度（MPa） | ≥60 |
| 熱膨脹系數（10-6/℃） | <1.0 |
| 室溫導熱系數（W/(m? K)） | <10 |
| 室溫電阻率（μΩ?m） | 20-45 |
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