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| 推薦牌號 | KBC13 |
| 密度（g/cm3） | ≥1.25 |
| 彎曲強度（MPa） | ≥60 |
| 熱膨脹系數（10-6/℃） | <1.0 |
| 室溫導熱系數（W/(m? K)） | <10 |
用途與特點：用于高純硅晶體生長，構建晶體生長的梯度溫場，作為進口石墨的替代產品，長晶速率提高2倍以上，持續為半導體、光伏晶體提升生長效率用途與特點：用于高純硅晶體生長，構建晶體生長的梯度溫場，作為進口石墨的替代產品，長晶速率提高2倍以上，持續為半導體、光伏晶體提升生長效率用途與特點：用于高純硅晶體生長，構建晶體生長的梯度溫場，作為進口石墨的替代產品，長晶速率提高2倍以上，持續為半導體、光伏晶體提升生長效率
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