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晶圓光刻膠是半導體制造光刻工藝中*關鍵的材料。在光刻過程中，光刻膠經涂膜，前烘，曝光，后烘，顯影等步驟后可將電路圖形由掩模版轉移到光刻膠上，再經過刻蝕工藝，實現電路圖形由光刻膠轉移到硅片上。隨著集成電路線寬縮小、集成度的提升，光刻膠開發技術難度大幅增加，成為延續摩爾定律的關鍵技術之一。
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