推薦12英寸SiC玩家+1

中國粉體網(wǎng)訊 據(jù)晶越半導體官微宣布，公司繼2025年上半年成功量產8英寸碳化硅襯底后，公司持續(xù)投入并不斷加大研發(fā)力度，并在熱場設計、籽晶粘接、厚度提升以及缺陷控制方面不斷調整和優(yōu)化工藝，在7月21日研制出高品質12英寸SiC[更多]