推薦碳化硅單晶生長：邁向大尺寸、高質量的征途

中國粉體網訊 目前，用于SiC晶體生長的主要技術包括物理氣相輸運（PVT）法、高溫化學氣相沉積（ HTCVD）法，以及頂部籽晶溶液生長（TSSG）法。其中，PVT法作為現階段發展最為成熟、應用最廣且商業化程度最高的SiC單晶[更多]