中國粉體網訊 美國化學家研發出了一種新方法，使用硅碲化物制備出擁有多層結構的二維半導體納米材料，這些材料擁有不同的形狀和排列方向，可在多個領域大顯身手。布朗大學的科學家使用硅碲化物制造出了納米帶和納米板。硅碲化物是一種純凈的P型半導體（攜帶正電荷），廣泛出現在很多電子和光學設備中，它們的層級結構能吸收鋰和鎂，這意味著可用來制造電池的電極。
該研究的領導者、布朗大學化學系助理教授克里斯蒂·克斯基表示，硅基化合物是現代電學處理過程的基石，硅碲化物是其中一員，我們發明的全新方法可用來制造擁有多層結構的二維納米材料�？怂够鶊F隊通過氣相沉積方法在一個管式爐中合成出了這些新材料。當硅和碲化物在管子中被加熱時，會蒸發并反應，制造出一種前體化合物，這種前體化合物接著被氬氣沉積在基座上，隨后，硅碲化物就從該前體化合物中生長出來。通過改變熔爐的溫度并對基座進行不同的處理，研究人員最終制造出了納米帶和納米板，納米帶的寬度約為50到1000納米，長度為10微米。而且，不同材料擁有不同的結構，其晶格也有不同的排列方式，因此擁有不同的屬性和用途。
研究人員也證明，可以使用不同的基座，將不同材料摻雜（在摻雜過程中，細小的雜質被引入材料內，從而改變材料的電學屬性）進入這些納米材料內。在最新研究中，研究人員通過實驗證實，當硅碲化物在藍寶石基座上生長時，可向其中摻雜鋁，這一過程可以將材料從P型半導體變成N型半導體（攜帶負電荷）。研究人員還指出，新方法得到的材料不僅穩定，而且容易被改進。他們計劃對得到的納米材料的電學和光學屬性進行測試。
該研究的領導者、布朗大學化學系助理教授克里斯蒂·克斯基表示，硅基化合物是現代電學處理過程的基石，硅碲化物是其中一員，我們發明的全新方法可用來制造擁有多層結構的二維納米材料�？怂够鶊F隊通過氣相沉積方法在一個管式爐中合成出了這些新材料。當硅和碲化物在管子中被加熱時，會蒸發并反應，制造出一種前體化合物，這種前體化合物接著被氬氣沉積在基座上，隨后，硅碲化物就從該前體化合物中生長出來。通過改變熔爐的溫度并對基座進行不同的處理，研究人員最終制造出了納米帶和納米板，納米帶的寬度約為50到1000納米，長度為10微米。而且，不同材料擁有不同的結構，其晶格也有不同的排列方式，因此擁有不同的屬性和用途。
研究人員也證明，可以使用不同的基座，將不同材料摻雜（在摻雜過程中，細小的雜質被引入材料內，從而改變材料的電學屬性）進入這些納米材料內。在最新研究中，研究人員通過實驗證實，當硅碲化物在藍寶石基座上生長時，可向其中摻雜鋁，這一過程可以將材料從P型半導體變成N型半導體（攜帶負電荷）。研究人員還指出，新方法得到的材料不僅穩定，而且容易被改進。他們計劃對得到的納米材料的電學和光學屬性進行測試。
