中國粉體網訊 作為第三代半導體材料“雙雄”之一，碳化硅（SiC）憑借其在高溫、高壓、高頻等條件下的優異性能表現，成為當今最受關注的半導體材料之一。國內不乏SiC勢力，中科鋼研就是其一。
中科鋼研是由國務院國資委于2016年批復成立的新型央企控股混合所有制企業。據其官網介紹，中科鋼研先后開發了高品質、大規格藍寶石晶體制備工藝技術及長晶裝備；高品質碳化硅晶體及襯底片制備工藝技術及長晶裝備；石墨烯碳納米電熱膜生產工藝技術及生產線等多項達到國際一流技術水平。上述多項技術填補了國內行業空白。
2017年2月，中科鋼研“碳化硅重點實驗室”獲評為“第三代半導體材料制備關鍵共性技術北京市工程實驗室”，并于2018年先后被選舉為“第三代半導體產業技術創新戰略聯盟”第一屆副理事長單位，“中關村天合寬禁帶半導體技術創新聯盟”副理事長單位。
據悉，該實驗室根據產品市場前景、技術的先進性與成熟性選擇了升華法和高溫化學氣相沉積法兩種長晶技術作為研發方向，快速掌握了高品質、大規格碳化硅長晶工藝技術及其裝備。
在剛剛過去的2019年，中科鋼研第三代半導體布局也取得一些進展。
2019年2月23日，位于南通的中科鋼研產業項目開工，該項目建成達產后，可年產石墨烯碳納米電熱膜1200萬延米、4英寸N型碳化硅晶體襯底片5萬片、6英寸N型碳化硅晶體襯底片5萬片、4英寸高純度半絕緣型碳化硅晶體襯底片1萬片、4/6英寸碳化硅電力電子芯片6萬片。
2019年3月，位于青島市萊西經濟開發區的中科鋼研碳化硅項目傳出新消息，預計項目在2019年投產。中科鋼研碳化硅青島項目總投資10億元，主要生產高品質、大規格碳化硅晶體襯底片。項目全部達產后，可實現年產5萬片4英寸碳化硅晶體襯底片，5000片4英寸高純度半絕緣型碳化硅晶體襯底片。
技術方面，在2019年5月10日，中科鋼研官方也表示，其具有自主知識產權的六英寸碳化硅單晶生長裝備順利投入使用，進入六英寸碳化硅單晶生長工藝驗證階段。
從去年9月落地的中科鋼研上海先進晶體產業化項目，也能看出中科鋼研的技術實力。
2019年9月5日，中科鋼研先進晶體產業化項目簽約落地上海寶山區，項目擬建設以上海總部基地為核心，擁有國內外多個碳化硅晶體材料、碳化硅微粉、碳化硅電子電力芯片生產基地。
據悉，該項目系中科鋼研與國宏華業在引進日本升華法（PVT），高溫化學氣相沉積法（HTCVD）及俄羅斯電阻加熱升華法等國際一流碳化硅長晶工藝技術與裝備的基礎上，通過三年來的技術消化吸收再創新，通過工藝建模、數值模擬、設備集成、工藝試驗等方面的系統性工作，在碳化硅長晶專用裝備、碳化硅高純度原料合成、碳化硅單晶生長及襯底片加工工藝方面取得了較大進展，形成了具有自主知識產權的以碳化硅單晶生長核心工藝技術為代表的完整工藝技術體系。
該工藝技術體系，覆蓋了碳化硅晶體與襯底片生產的全工藝環節，保證了碳化硅襯底片產品技術指標、質量穩定性和成本可控性有很大的突出優勢。
當時中科鋼研方面表示，力爭用3到5年時間，將中科鋼研與其戰略合作伙伴聯合創設的國宏中宇科技發展有限公司建設成以上海總部基地為核心，擁有國內外多個碳化硅晶體材料、碳化硅微粉、碳化硅電子電力芯片生產基地，產品銷售與服務中心的，國內科研水平最高、產業規模最大、上下游產業鏈較為完整、產業示范引領作用最大的，以碳化硅半導體材料為代表，聚集第三代半導體材料及其應用技術與產品的高新技術企業集團。
此外，中科鋼研與露笑科技也加強了合作。11月26日，露笑科技公告稱與中科鋼研、國宏中宇正式簽署了碳化硅項目的戰略合作協議，協議期限為2年，各方將密切合作打造世界級的第三代半導體材料領軍企業。
如今正值第三代半導體風口，中科鋼研加速碳化硅產業布局，未來或可期。
（中國粉體網編輯整理/茜茜）
注：圖片非商業用途，存在侵權請告知刪除！
