中國粉體網 近日，北方華創科技集團股份有限公司（以下簡稱“北方華創”）宣布，其THEORIS SN302D型12英寸氮化硅沉積設備Move in國內集成電路制造龍頭企業。該設備的交付，意味著國產立式LPCVD設備在先進集成電路制造領域的應用拓展上實現重大進展。
化學氣相沉積（CVD）技術是用來制備高純、高性能固體薄膜的主要技術。在典型的CVD工藝過程中，把一種或多種蒸汽源原子或分子引入腔室中，在外部能量作用下發生化學反應并在襯底表面形成需要的薄膜。由于CVD技術具有成膜范圍廣、重現性好等優點，被廣泛用于多種不同形態的成膜。
據北方華創的介紹，低壓化學氣相淀積（LPCVD）是在低壓和特定溫度條件下通過氣體混合發生化學反應，在硅片表面淀積一層固體膜的工藝。例如：氮化硅薄膜淀積、多晶硅薄膜淀積、非晶硅薄膜淀積、二氧化硅薄膜淀積等。
在集成電路制造技術特征尺寸越來越小的趨勢下，立式LPCVD爐管設備（300mm/200mm）的溫度均勻性差、顆粒控制指標，對產品電氣特性和良率將產生越來越大的影響，因而對高端LPCVD爐管設備的性能提出了更高的要求，包括高精度溫度場控制、高精度壓力控制、良好的工藝均勻性、先進的顆粒控制技術、完整的工廠自動化接口、高速的數據采集算法等。對未來技術發展而言，會出現更高均勻性、更少顆粒、更高產能、更智能控制的進一步需求，這些需求將帶來對高端LPCVD爐管設備進一步的挑戰。
氮化硅(Si3N4)薄膜是一種應用廣泛的介質材料。作為非晶絕緣物質，氮化硅膜的介質特性優于二氧化硅膜，具有對可動離子阻擋能力強、結構致密、針孔密度小、化學穩定性好、介電常數高等優點，常用于集成電路制造中的介質絕緣、雜質掩蔽、淺溝道隔離、掩膜、外層鈍化保護等工藝。作為一種性能優良的重要介質材料，在集成電路制造領域，氮化硅薄膜廣泛使用LPCVD類型設備制備，而顆粒控制水平是設備能力的一項重要指標。
（圖片來源：北方華創）
北方華創在氮化硅工藝設備THEORIS SN302D的開發過程中，通過整合已有產品平臺技術，針對性地研發了快速升降溫加熱技術和爐口氣流優化技術，良好地解決了氮化硅工藝過程中顆粒控制不穩的技術性難題。并在滿足常規生產能力的基礎上，為提升客戶使用的附加價值，進一步開發了長恒溫區反應腔室設計，實現了高產能的硬件技術解決方案，匹配市場的多樣化需求。
據了解，北方華創是由北京七星華創電子股份有限公司和北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司戰略重組而成，是目前國內集成電路高端工藝裝備的先進企業。經過10余年的創新發展，北方華創立式爐從無到有，從設備研發到產業化，目前已形成氧化（Oxide）、退火（Anneal）、化學氣相沉積（LPCVD）、合金（Alloy）四大系列工藝設備，設備性能達到國際同類產品的先進水平。
資訊來源：北方華創科技集團股份有限公司官網
注：圖片非商業用途，存在侵權告知刪除！
