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天成半導體攻克12英寸碳化硅材料難題
來源：天成半導體
近期，山西天成半導體材料有限公司繼今年成功研制12英寸導電型碳化硅單晶材料后，依托自主研發設備再度攻克12英寸高純半絕緣碳化硅單晶材料技術難關，實現大尺寸碳化硅核心材料雙技術路線的重大突破，為區域半導體產業高質量發展注入強勁動能。
晶盛機電：公司積極布局碳化硅產能
晶盛機電回答調研者提問時表示，公司積極布局碳化硅產能，在上虞布局年產30萬片碳化硅襯底項目；并基于全球碳化硅產業的良好發展前景和廣闊市場，在馬來西亞檳城投建8英寸碳化硅襯底產業化項目，進一步強化公司在全球市場的供應能力；同時，在銀川投建年產60萬片8英寸碳化硅襯底片配套晶體項目，不斷強化公司在碳化硅襯底材料領域的技術和規模優勢。
科友半導體成功制備12英寸半絕緣碳化硅單晶
來源：科友半導體
科友半導體在第三代半導體材料領域取得重大突破，成功制備12英寸半絕緣碳化硅單晶。這是繼公司突破12英寸導電型碳化硅單晶制備技術后，在大尺寸碳化硅材料領域的又一重要里程碑，標志著科友在12英寸碳化硅裝備與材料技術方面實現了新的跨越。
晶能秀洲基地首顆SiC功率模塊下線
來源：晶能
近日，晶能秀洲基地（一期）提前完成主體建設并正式投產，首顆SiC功率模塊同步順利下線。該基地于2024年2月5日正式動工，從開工至首顆產品下線，建設周期顯著短于行業平均水平。基地位于嘉興國家高新區，占地95.4畝，是晶能繼余杭、溫嶺之后的第三座專業化生產基地。一期產線規劃年產能達60萬套車規級功率模塊。
晶馳機電：12吋SiC晶體生長爐交付
來源：晶馳機電
近期，晶馳機電陸續完成ATSIC-300型電阻法12吋SiC單晶生長爐向多家SiC襯底生產廠商和光學廠商的交付工作，并在某知名襯底廠商快速跑通工藝，迎來產線上首顆全尺寸12吋SiC單晶晶體下線。
環球晶宣布，12英寸碳化硅晶圓原型開發已成功
來源：環球晶
近日，環球晶（GlobalWafers）宣布，公司在核心技術研發上取得重大突破：其方形碳化硅晶圓以及具有里程碑意義的12英寸碳化硅晶圓的原型開發已成功完成，并已正式進入客戶送樣與驗證階段。
士蘭微：8英寸SiC項目開始試生產
來源：廈門工信
近日，士蘭微旗下士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產線全部設備已安裝到位并完成調試，開始投片試生產。該項目總投資120億元，分兩期建設，一期項目投資70億元，投產后，產能將達到每月3.5萬片，年產值約75億元。
漢印機電：SiC外延設備項目投產
來源：鹽城新聞
近日，漢印機電聚焦碳化硅外延技術成果轉化，一期項目已實現全面量產，二期COB擴能項目設備正陸續進場，預計年底投產。漢印機電自主研發的6英寸、8英寸外延設備一經問世便投入生產。目前，外延晶片已經與國內多家半導體企業開展多輪調試生產。
印度建設首個碳化硅半導體工廠
印度半導體廠商SiCSem在布巴內斯瓦爾舉行碳化硅半導體生產設施的奠基儀式，標志著該國首個碳化硅半導體工廠正式啟動建設。該工廠總投資約200億盧比（折合人民幣約16.04億元），規劃年產6萬片SiC晶圓，封裝能力約9.6億片。
參考來源：天成半導體、科友半導體、晶能、晶馳機電、鹽城新聞、廈門工信
（中國粉體網編輯整理/初末）
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