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項目 | 參數 |
晶圓尺寸 | 6”-12” |
刻蝕材料 | Si、SiC、GaAs、GaN4等可定制 |
產能 | ＞38PCS（每次運行180s） |
工藝指標 | UPTIME>95%,MTTR< 4H , 顆粒增加值 <20ea@0.2um 8” Bare |
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